【摘 要】
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闪存(Flash Memory)作为EPROM和EEPROM的一个综合体,在成本和功能上取得了一个很好的平衡。而且其存储信息的速度也可以达到和DRAM相媲美,使得闪存成为目前一种增长最快的半
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闪存(Flash Memory)作为EPROM和EEPROM的一个综合体,在成本和功能上取得了一个很好的平衡。而且其存储信息的速度也可以达到和DRAM相媲美,使得闪存成为目前一种增长最快的半导体产品。同时闪存是非掉电易失性内存的一种,具有关掉电源仍可保存数据的优点,同时又具备掉电易失性内存可重复读写且读写速度快、单位体积内可储存最多数据量,以及低功耗特性等优点,故是现阶段行动储存装置的首选。由于器件性能的要求,闪存对存储单元的均匀性要求比较高,而随着线宽越来越小,从工艺的角度去达到存储单元均匀性的难度也越来越大,特别是多晶硅线的均匀性。针对这一问题,本文对90nm NAND Flash多晶硅线的均匀性进行了研究。主要研究了如何改善由于使用193nm Arf光刻胶带来的线边缘粗糙度(LER)的问题,其次是如何解决存储单元内bank(存储区域) to bank ,bank in bank多晶硅线的均匀性问题。最后通过对光刻和蚀刻工艺中硬掩膜(HM)的改良从而获得最小的线边缘粗糙度,优化OPC,使用人工OPC(Manual-OPC)和加辅助图形的方法进一步提高存储单元内bank to bank ,bank in bank多晶硅线的均匀性。此结论通过测量多晶硅线均匀性改善前后的Vt均匀性作对比得到验证。
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