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近年来,金属硫族化合物由于其独特的光电特性,在太阳能电池、光催化剂、光电化学分解水等领域被广泛应用。In_2S_3属于Ⅲ-Ⅵ族半导体,具有三种不同的晶体结构,其中β-In_2S_3在常温条件下易制备,光学带隙约为2.0 e V-2.2 e V,具有较大的比表面积,然而电子和空穴的快速复合依然限制着它的应用。β-In_2S_3具有典型的缺陷尖晶石结构,有利于引入外来离子调控其光电化学性能。目前,稀土离子掺杂In_2S_3在光电化学性能方面的研究较少。在本文中,创新性的采用原位水热法制备稀土掺杂β-In