作为第三代半导体材料的代表,氮化镓基半导体材料内、外量子效率高,具备高发光效率、高热导率、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性,是目前世界上最先进的半导体材料。采用MOCVD技术进行材料生长优势明显。针对西安电子科技大学MOCVD系统,根据MOCVD系统工艺要求,进行了基于PLC的MOCVD控制系统的优化设计。本文研究的项目来源于宽禁带半导体材料生长技术及MOCVD设备,军用电子元器件型谱攻关项目,GaN-MOCVD深紫外LED材料生长设备,国家863项目。在保留了原MOCVD系统的优点的基础上,同时针对新的生长工艺,对整个系统的控制程序进行了相应的升级和优化。新的工艺要求由原来的50步增长至120步,以前的循环控制程序不能满足要求,同时由于程序的重新编写使得原来的CPU也不能满足要求。总的说来,本文的主要工作主要涉及了步序与循环控制、报警及故障处理、模拟量多路分时选择输入、模拟量平滑处理及输出、数字量的输入及输出等子程序,同时对上位机的监控界面做了介绍,对Excel材料生长配方表的VB宏代码进行了重新设计。解决了原来系统代码集中在上位机,导致系统运行慢、稳定性差的缺点,而且也很好的满足了新的工艺要求。升级后的MOCVD控制系统与原来的MOCVD控制系统相比,其性能更加稳定和完善。它为进一步研发多片式MOCVD控制系统奠定了基础。