近年来，红外探测器在民用和军用上的运用日趋广泛。特别是InAs/GaSbⅡ类超晶格材料，由于其能带结构的独特性，在长波红外(LWIR)、超长波红外(VLWIR)波段有着极好的应用前景，再加上其量子效率高，俄歇复合几率低，较小的暗电流及较高的工作温度，将成为第三代红外探测器的优选材料。　　本文研究了InAs/GaSb超晶格红外探测器的材料特性、探测原理，并对器件的能级进行了仿真模拟，利用材料分析技术对外延片进行了测试，经过完整的工艺流程制成了红外探测器件，最后对器件进行了黑体测试。由于InAs/GaSb器件的台阶侧面氧化会造成漏电，降低黑体探测率，所以测试后又尝试对一些工艺步骤、器件结构进行了改进。本文的主要工作包括：　　1、对比了InAs/GaSb探测器、碲镉汞探测器和常规量子阱红外探测器(QWIP)的工作原理与应用，分析并总结了各种探测器的优缺点，讨论了InAs/GaSb的材料特性及能带结构，着重分析了其探测机制及影响器件性能的因素。　　2、使用传输矩阵法和图解法对InAs/GaSb红外探测器的子能带进行了仿真模拟，根据已知结构计算出电子和空穴的最低能级，从而计算出该结构的响应波长，并对两种计算方法的精确度进行了比较，分析其原因。　　3、分析了红外探测器的主要性能参数，包括响应度、响应波长、噪声、探测率等及其各自的影响因素，总结了材料测试方法，为后续测试红外探测器的光电性能提供依据。　　4、针对现有的外延材料，采用紫外-可见-红外分光光度计和傅里叶红外光谱仪(FTIR)，分别测试了材料的反射谱、透射谱及红外光谱，为正确评估材料性能，器件特性提供实验指导。　　5、总结并完善了InAs/GaSb超晶格材料探测器工艺技术，主要包括：针对InAs/GaSb材料与HF酸发生反应且材料熔点低的问题，优化了材料的刻蚀方式、光刻工艺、SiO2的生长温度及合金温度等工艺条件，设计了工艺流程并成功流片。　　6、采用了一种新的器件工艺结构，有效降低了台阶侧面氧化带来漏电流的不良影响。　　7、成功制备了InAs/GaSb超晶格红外探测器，并对器件进行了低温的Ⅳ特性、光电响应特性和光谱响应特性的测试，得到器件的黑体探测率D*BB，达到1.4*1010cmHz1/2W-1器件的响应波长为4um，对比分析了测量结果与传输矩阵法模拟结果，有所偏差的原因。