近年来随着半导体技术的快速发展及客户对功率MOSFET高品质的渴求，尤其是汽车工业的苛求，需要我们对电感负载应用引起足够的重视，因为它会引起器件的非钳位感性负载（Unclamp Inductive Load, UIL）失效而损坏情景。本文侧重在后端封装测试中UIL筛查特性的研究。UIL是功率半导体器件最重要的耐受度（ruggedness）考量之一，能够体现功率器件在极端苛刻的开关条件下的状态，其特性用来描述功率MOSFET在雪崩击穿下负载能量的能力。特征参数包括：雪崩击穿电流IAS，雪崩电压BVDSS和雪崩击穿能量EAS。UIL测试的作用一般应用在前端不良芯片的筛查；针对后端容易逃脱终测的临界键合或引线缺失等后端工艺缺陷，我们研究发现，也可以通过优化UIL测试条件的方法进行筛查。我们的试验结果，优化后的UIL测试条件在电感等于0.1mH，电流等于90A时，能够把封测工艺中的不良筛查出来。在终测中，如果当前的终测条件存在局限性，即无法筛查出存在着临界键合或引线缺失等工艺缺陷的器件时，UIL测试条件应该选择小电感大电流的方法，这个方法可以应用在其它更多的分立器件中。