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随着无线通信技术的快速增长，基于Si工艺的半导体器件和集成电路已不能满足其发展需求。SiGe器件凭借其频率特性好、噪声系数低、集成度高、成本低以及与传统Si工艺相兼容的优势，展现了在无线通信领域的发展潜力。器件的工艺生产和电路的设计制造都离不开器件模型的参数提取，因此对SiGe器件及其参数提取技术进行研究具有重要的意义。论文通过对器件电路模型VBIC和MOS LEVEL3的分析，提出了相应的模型参数提取方法，建立了模型参数提取策略，并将该策略成功地应用到SiGe HBT器件VBIC模型和应变Si PMOS器件MOS LEVEL3模型的参数提取中，获得了较好的研究结果。通过对SiGe HBT器件直流特性和频率特性分析，提出了SiGe HBT器件电学参数与结构参数的关系及优化设计原则。利用二维数值模拟软件Medici对器件进行了模拟仿真，设计出了平面结构的SiGe HBT器件，并在中电集团24所进行了流片实验。测试结果显示其共射极电流增益β达到200，截止频率为2.7GHz。分析了并修改了VBIC器件模型，提出了模型主要参数的提取方法，并建立了相应的器件模型参数提取策略。利用器件的测试数据，提取了平面结构SiGe HBT器件VBIC模型的电流模型参数。器件传输饱和电流IS为5.878E-16A，正、反向厄利电压VEF、VER分别为25.19V和3.187V。在MOS LEVEL3器件模型的研究基础上，提出了应变Si PMOSFET MOS LEVEL3模型参数的提取方法及其提参策略。利用Angelent 4155a对应变Si PMOSFET的输出特性曲线和转移特性曲线进行了测试，并提取了MOS LEVEL3模型参数。器件的零偏阈值电压VTO为-0.4568V，低电场电子迁移率UO达到114.9cm2／Vs，迁移率调制系数THETA为0.1093V-1。