【摘 要】
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该报告对半导体平面量子微腔物理进行了深入的研究,主要工作如下:1.制备出了品质因数为1000以上的半导体平面InGaAs/GaAs量子阱微腔,观察到了明显的Rabi分裂现象,确定出温度
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该报告对半导体平面量子微腔物理进行了深入的研究,主要工作如下:1.制备出了品质因数为1000以上的半导体平面InGaAs/GaAs量子阱微腔,观察到了明显的Rabi分裂现象,确定出温度为77K时腔极化激元的色散关系,在10~300K的温度范围内研究了光致发光谱的变化.此外,我们设计出一种新的调谐方法,即改变微腔的外加静压进行调谐.当温度为77K时,观察到了腔模和激子模的反交叉过程.2.设计制备出半导体平面InGaAs/GaAs自组织量子点微腔其品质因数高达1000以上.在10~300K的温度范围内,通过角分辨光致发光装置原位选择研究了微腔中不同特征量子点的物理行为.开发设计出一种灵敏度高、响应快的新型可调谐选频探测平面微腔增强型探测器.
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