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SiC半导体材料是自第一代半导体材料（Si）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代宽带隙半导体材料，具有优异的物理化学性能。SiC体单晶和一维纳米晶须在制备高温、高频、大功率的光电子器件方面具有较大的应用潜力。本文在前人SiC单晶和一维纳米晶须生长研究的基础上，开展金属硅化物熔体中，SiC体单晶和一维纳米晶须的生长及其机理的研究。FeSi熔体做助溶剂，石墨坩锅做碳源，开展液相法SiC单晶生长研究。研究表明FeSi熔体能溶解足够的C并有SiC单晶从熔体中析出。XRD分析表明反应产物基本上都是3C-SiC，并伴有少量的6H-SiC，一般认为这是晶体中存在的层错或寄生相等缺陷造成的。Raman分析确认熔体中所生长的SiC单晶为3C-SiC，并存在一定程度的层错等缺陷和较大的金属元素掺杂。SiC单晶的典型形貌表明熔体中SiC单晶的生长遵循二维形核-层生长机理。在助溶剂法SiC单晶生长中发现，在一定含量的氧气氛下倾向于纳米晶须的生长。基于这一事实，进行了以FeSi和NiSi为助溶剂SiC一维纳米材料生长的研究，得到大量高质量的SiC纳米晶须。分析表明，纳米晶须产物为3C-SiC，其晶格常数为4.364（?），（111）面晶面间距为0.25nm，生长方向为[111]晶向。Raman分析表明，所得的3C-SiC纳米晶须结晶化程度良好，由于尺寸效应，纳米晶须的散射峰相对标准3C-SiC单晶向低波数偏移。对SiC纳米晶须的生长机理进行研究表明，SiC晶须的形成经历了两个阶段：晶核形成阶段和晶须长大阶段。各个温度下生长的SiC纳米晶须均植根于FeSi和NiSi助溶剂，且顶端有球形助溶剂液滴。这些事实暗示了晶须的生长机理是固-液-固（SLS）形核和气-液-固（VLS）生长的联合生长机理。在晶核形成阶段，石墨（S）中的C在助溶剂（L）中溶解，其中的Fe（Ni）增大了熔体中C的溶解度，熔体中Si和C以SLS模式形成SiC晶核（S）；在晶须生长过程中，气氛中微量的O2与Si和C反应生成的CO和SiO（V）溶解在晶须顶端液滴（L）内，在金属Fe（Ni）的催化作用下，以气-液-固（VLS）模式沿[111]方向生长为SiC纳米晶须（S）。以NiSi熔体为助溶剂的反应温度较低的的试样，由于同石墨基板的浸润性比较差，被SiC晶须蓬松覆盖的NiSi熔体呈球状分布在石墨基板上。在降温过程中，反应气氛中未消耗的中间产物CO和SiO，反应生成SiO2，并以无定形态包覆在先前生成的SiC晶须表面，生成SiO2包覆的SiC晶须。另外，加热1600℃保温3h的NiSi助溶剂的石墨坩埚壁上生长有大量SiC晶须，XRD分析表明其晶型以3C-SiC为主，并含有少量6H-SiC变体。SiC晶须产率很高，但在晶须顶端没有发现作为催化剂熔球的球形颗粒。分析表明，坩埚壁上的SiC晶须是以VS机制生长沿[111]方向不断沉积生长的。