近三十年来,有机场效应晶体管（OFET）凭借可溶液加工、制造成本低、可大面积制备、可用于柔性器件、材料结构多样化等诸多优势收获了广大研究者的关注,获得了巨大发展,并在各种关键性能指标上不断取得突破。但是有机半导体薄膜中随机结晶和大量晶界的存在仍然是实现高性能有机电子器件的挑战。而根据报道,有机半导体与聚合物添加剂共混导致的相分离是优化半导体晶体微观结构、半导体薄膜质量和载流子传输的有效途径。本文以6,13-双（三异丙基甲硅烷基乙炔基）并五苯（TIPS-并五苯,TP）为基准半导体进行了实验,研究了四种聚合物添加剂对有机晶体生长的影响,用光学显微镜观察了不同聚合物与TIPS-并五苯共混晶体的薄膜形态。另外,为观察共混晶体更为精细的微观结构,用扫描电子显微镜（SEM）进行了表征,并通过X射线衍射仪（XRD）进行了薄膜结晶度的表征。除此之外,本文结合扫描电子显微镜（SEM）对共混膜的截面表征以及聚合物和共混薄膜接触角的测量,研究了无定形聚合物对TIPS-并五苯薄膜相分离的影响。最后分析了聚合物添加剂对薄膜相分离模式和有机晶体生长的影响机理。此外,着重研究了带有聚（丙烯酸丁酯）（PBA）添加剂的TIPS-并五苯生长过程,对不同配比下的晶体形态进行了光学显微镜和X射线衍射仪（XRD）表征。另外,基于此制备了底栅顶接触的有机场效应晶体管,分析了不同薄膜形态对器件性能的影响。把晶界模型作为理解晶粒宽度与空穴迁移率之间关系的理论基础,揭示了不同配比共混薄膜对器件性能的影响原因。除此之外,采用溶剂蒸汽退火的方法改变成核,优化晶体生长过程,实现了更大的晶粒宽度和更高的面积覆盖率,薄膜形态表征表明,晶体错位角相对纯TIPS-并五苯晶体减小了大约两个数量级,并且晶粒宽度增加约五倍。最后,基于TIPS-并五苯/聚（丙烯酸丁酯）（TP/PBA）共混物制备的底栅顶接触有机晶体管表现出0.11cm~2/Vs的空穴迁移率。本文所研究的聚（丙烯酸丁酯）聚合物引起的相分离以及溶剂蒸汽退火方法具有复制到其他有机半导体上的潜质,是实现高性能的有机电子器件的有效方法。