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本文使用第一性原理,采用基于密度泛函理论的CASTEP程序包,系统地研究了Si、SiO_2及Si/SiO_2纳米镶嵌薄膜的几何结构、电子结构和光学性质。分析单晶Si及包埋基质SiO_2计算所得的结构、能带、态密度和吸收谱。结果显示,单晶Si的P轨道在费米能级处的态密度远大于S轨道在费米处的态密度,室温下单晶Si对可见区光吸收微弱;SiO_2的带隙约为6.07eV,对0eV～7eV范围内的光几乎没有吸收。单晶Si及包埋基质SiO_2的计算结果,尤其是优化后的Si与SiO_2的晶格参数与实验