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物质的微观结构对其性质起重要影响,近几年涌现了大量关于半导体微纳米晶微结构可控合成及其对性质影响方面的报道,但大多数制备过程需要在高温、高压及模板剂作用下完成。本论文主要以PbS、Sb2S3两种典型的硫化物半导体为研究对象,通过液相化学反应,在低温条件下,合成出多种不同形貌的硫化物纳米晶,采用XRD,EDS, Raman,TEM,SEM,UV-vis等分析手段对产物的物相、形貌及光学性质进行了研究。具体内容如下：(1)PbS纳米晶的合成及表征：以乙基黄原酸铅为反应原料,乙二胺为反应溶剂,室温下反应5天,制备得到硫化铅纳米晶,TEM结果表明产物为均匀的立方形,尺寸大小约为100nm。以DMSO为溶剂,采用水热法,在80℃反应24h,制备得到了星型硫化铅纳米晶,XRD表征显示,产物为立方晶系,并详细讨论了反应条件对产物微结构的影响。(2)Sb2S3纳米晶的合成及其性能研究：以乙基黄原酸锑为反应原料,乙二胺为反应溶剂,在室温下反应5d,制备得到了直径在5-10nm之间的Sb2S3纳米线,并对Sb2S3纳米线的光催化性能进行了研究,结果表明：在可见光激发下,30min内,所制备的Sb2S3纳米线对甲基橙和罗丹明B的降解率均达到了95%以上。以SbC13为锑源,DMSO为溶剂,CS2为硫源,采用液-液界面合成法,在80℃制备得到由纳米棒自组装而成的Sb2S3纳米微球。(3)Bi2S3等其他硫化物纳米晶的合成及表征：以乙二胺为溶剂,金属黄原酸盐为前驱体,在室温下分别制备得到了花状结构Bi2S3颗粒,CdS纳米薄片,棒状CoSx纳米晶,在60℃,制备得到了ZnS纳米带和中空的棒状NiS纳米结构,并利用XRD、SEM、TEM等对产物微结构进行了表征。