自从Brave和Hübel合成第一个Silole(噻咯,即1,1,2,3,4,5-六苯基硅杂环戊二烯)以来,噻咯及其衍生物的合成、反应、性质、与过渡金属原子配位、噻咯阴离子、噻咯聚合物以及含有噻咯环的π共轭体系等已被广泛的研究。噻咯的LUMO水平较低,电子流动性和电子亲合势较强,是一种性能良好的电致发光材料,同时也可用作电子传输层材料。在文中,我们对3,4-二甲基-2,5-二(三甲基硅基)噻咯的1,1位取代衍生物的几何结构、电子结构以及光谱性质进行理论研究,以讨论取代基电负性不同对其的影响。结果表明,激发态的跃迁类型均为HOMO→LUMO的π→π*跃迁,且激发态结构弛豫主要定域在Silole环及其直接相连的2,5位取代基上。Silole环上硅原子的取代基电负性不同时,五种化合物的基态和激发态的几何结构、HOMO-LUMO能隙以及吸收和发射光谱都会发生变化,即随着取代基电负性的增强,HOMO-LUMO能隙变小,其最大吸收波长和发射波长发生红移。同时我们还用苯基与甲基分别对Silole环的不同位置进行取代,然后对其基态的几何结构、电子结构以及光谱性质进行理论研究。激发态的跃迁类型均为HOMO→LUMO的π→π*跃迁,且激发态结构弛豫主要定域在Silole环及其直接相连的2,5位取代基上。与1,1位取代相比,2,5位取代吸收波长发生较明显的红移。在Silole环上连有不同的取代基对HOMO-LUMO之间的能隙会有影响,而且这种影响与取代基的性质和取代基所在的位置有关。相同位置取代时,苯基取代Silole的LUMO能级小于甲基取代,故相对于甲基取代Silole来说,苯基取代Silole更适宜做电子传输材料。