本文对氮化镓基发光器件上聚焦离子束制备的光子晶体进行了研究。主要结果如下： (1)在国内率先发展了一套聚焦离子束刻蚀GaN基材料和GaN基一维、二维光子晶体的技术，解决了高纵深比深亚微米刻蚀中的一系列技术难点，优化了加工工艺；系统研究了刻蚀速率、刻蚀参数、离子束等因素对GaN材料的刻蚀加工的影响等；尝试了采用电子束曝光和纳米压印方法制备光子晶体结构的可行性。 (2)在采用转移矩阵方法模拟分析GaN基一维光子晶体的基础上，利用聚焦离子束方法研制成功“Ⅲ-氮化物/空气”的一维光子晶体即分布布拉格反射器(DBR)腔镜面。微区光学测量证实405nm波长的GaN/空气腔镜面的反射率得到明显增加，达到解理镜面的3倍。在国内首次实现了电注入下集成FIB抛光腔镜面和一维光子晶体腔镜面的GaN基激光器的激射，为开展微腔激光器、光电集成研究奠定了基础。 (3)在国际上首次利用FIB制备了GaN基二维准晶光子晶体，并研究了其光学性质。将二维三角晶格、八重和十二重准晶晶格光子晶体集成到GaN基LED结构器件上；器件顶部和侧面的发光观测结果表明，二维准晶光子晶体结构能够将器件中导波模式的光耦合成出光模式的光，提高器件表面出光效率；显微电致发光谱研究发现，结构区域出光效率最大可以提高4倍。 (4)利用近场光学显微镜比较了不同对称性的光子晶体区域的出光情况，分析了的光子晶体结构对称性对导波模式的作用，结合显微电致发光研究结果从实验上证明，十二重准晶光子晶体具有更高的效率，为二维准晶光子晶体在GaN基发光器件上的应用提供了一种可能的途径。