【摘 要】
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镁锂合金是目前为止最轻的金属结构材料,具有密度小,比刚度、比强度高,减震性好等优点,广泛应用于电子产品、汽车及航空航天等领域;但是镁锂合金的耐腐蚀性差,阻碍了它本身的广泛应用。目前许多研究者对镁锂合金的腐蚀做了相关的研究,主要采用的处理方法有:物理方法、化学转化、化学镀、阳极氧化等。磁控溅射技术具有沉积速率高、薄膜质量好、工艺简单、对环境友好等优点成为薄膜工业化应用的主要方法。本文采用磁控溅射法在
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镁锂合金是目前为止最轻的金属结构材料,具有密度小,比刚度、比强度高,减震性好等优点,广泛应用于电子产品、汽车及航空航天等领域;但是镁锂合金的耐腐蚀性差,阻碍了它本身的广泛应用。目前许多研究者对镁锂合金的腐蚀做了相关的研究,主要采用的处理方法有:物理方法、化学转化、化学镀、阳极氧化等。磁控溅射技术具有沉积速率高、薄膜质量好、工艺简单、对环境友好等优点成为薄膜工业化应用的主要方法。本文采用磁控溅射法在镁锂合金表面制备了CrN薄膜,分析了氮气流量,基底温度,溅射功率等参数对薄膜结构和性能的影响,优
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本文研究了汽油车尾气三效净化催化剂在模拟配气条件下,对CO、HC和NOx的催化反应过程,阐明了NO的还原是反应气中CO及HC氧化成的CO共同作用的结果。研究了不同氧化铝材料的耐热稳定性及其制成汽油车尾气净化三效催化剂后经热老化以后的性能；研究表明将用氧化铝(A-B)制得的催化剂经发动机台架老化、实车8万公里老化,与国外对比产品进行了10万公里的对比试验,表明用(A-B)氧化铝制备的三效催化剂具有良
模具在国民经济中的地位越来越重要,其生产技术水平的高低已经成为衡量一个国家产品制造水平的重要标志之一。随着科技和经济的发展,越来越多的新的成型方式涌现出来,为了解决厚壁制品的收缩不均与复杂结构制品的表面质量及力学性能问题,气体辅助注射成型技术产生并得到广泛的应用。本文以淋浴喷头的模具设计为例,对气体辅助注射成型模具进行设计及研究。本文主要以气体辅助注射成型工艺及常规注射模具设计方法为理论基础,结合
自2003年三峡水库开始蓄水后,在库水位周期波动的作用下,三峡库区的地质环境更加恶化,致使大量古滑坡复活,如白水河滑坡等。在降雨和库水的诱发因素影响下,这些滑坡的变形往往表现出周期波动性增加。这种滑坡在失稳前要经历多次加速变形,采用传统的工程防治方法耗财耗力。为了避免灾害发生或减轻灾害影响,事先对滑坡做出预报,判断其变形情况,并采取有效的防范措施显得尤为重要。滑坡预报问题的核心是预报模型的建立与预
本文通过概念阐述和方法对比,系统的指出了边坡稳定性分析、危险度分析评价以及边坡滑坡风险评价之间依次递进的关系,提出了有限差分数值模拟与边坡可靠度分析相结合的FLAC-统计矩分析方法,针对具有多条潜在滑动面的复杂边坡问题,首次将系统可靠性分析领域中的多状态系统的理论和方法引入边坡滑坡的危险度研究中,并对其中的一些问题做了深入的探讨和研究,主要包括：(1)分析探讨了边坡稳定性分析、边坡滑坡危险度评价以
黄土是一种结构性土,在我国分布广泛,主要分布在地震集中的西部地区。对黄土动力特性以及结构性的研究已经成为21世纪的主要课题之一。本文以宁夏回族自治区西吉市党家岔一滑坡为研究对象,选取了5个频率和3个围压,在动扭剪条件下,研究黄土的动力特性,以及初步探讨黄土结构性损伤规律。通过整理试验数据,分析了固结围压和频率对黄土的动应力-应变关系、动剪切模量、动强度影响,并对黄土的结构损伤特性进行了简单的探讨。
地面沉降是自然和人为因素引起的,由于地壳表层土体压缩而导致区域性地面标高缓慢降低的一种环境地质现象,严重时会成为一种地质灾害。西安市自上世纪50年代发现地面沉降,此后在地下水开采引发的附加应力场与构造应力场相互叠加的作用下,地裂缝和地面沉降相互伴生,相互影响,至本世纪初,二者造成的经济损失达40亿元,给人民群众的生活造成了极大的危害。统计资料表明,进入本世纪以来,随着黑河引水工程的实施和地下水管理
崩滑体是一种岩土体以崩塌和滑动两种运动形式并在其共同作用及相互影响下而发生变形破坏的特殊地质灾害体,其规模一般均较大,一旦发生变形破坏,将会给人们的生命财产和工程建设造成严重威胁,产生巨大的经济损失和社会影响。因此,对崩滑体的形成机理及变形破坏模式进行深入分析和研究,进而提出切实可行的治理方案,对于保证人民的生命财产安全和国民经济的建设和发展具有十分重要的实际意义。本文以镇坪县宝塔梁超高岩质崩滑变
地面沉降是一种地面缓慢降低的环境地质现象,它集中于城市范围内,分布较广,危害性较大。因此,我们必须采用合理的监测手段,及时发现地面沉降。地面沉降是大同市较为突出的地质灾害之一,大同市地表、地下各类建筑物已经因为地面沉降遭到不同程度破坏,地面沉降的持续发展还加剧了大同市地裂缝的活动。合成孔径雷达干涉测量(InSAR)是20世纪60年代发展起来的一门新技术,而小基线集技术(SBAS-InSAR)是在I
ZnO是一种具有优异特性的宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度为3.36eV,激子束缚能为60meV,高于其它宽禁带半导体材料(如ZnSe为20meV,GaN为21meV),也远高于室温热能(26meV),具备了室温下发射蓝光或近紫外光的优越条件。另外,ZnO与MgO形成ZnMgO合金薄膜,随Mg含量不同可以调节ZnMgO合金半导体薄膜的禁带宽度,应用在紫外波段光电器件中可以显著提高发光效率,制得的半
大量研究表明ZnO薄膜已在气敏器件、表面声波器件和压敏器件等方面得到较为广泛的应用。高质量ZnO薄膜的制备一直是研究的核心和热点问题,能在Si片上实现ZnO薄膜的外延生长具有明显的成本优势和与微电子学的兼容性。由于Si与ZnO的晶格常数及热膨胀系数的失配度均很大,难以实现高质量ZnO薄膜的外延生长,采用中间缓冲层是一种值得研究的工艺。由于AlN的晶格结构与ZnO相同,所以可作为生长高质量ZnO薄膜