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太阳能是一种取之不尽，用之不竭的无污染能源，一批新型的薄膜太阳能电池厂的出现，让我们看到了太阳能电池发展的广阔前景。SnS为一种重要的光电转化材料，因无毒无害，且与可见光有很好的光谱匹配性能，而引起了广泛的关注。为此，本论文以SnS为研究对象，对影响光电性能因素进行系统的研究。本论文采用混合溶剂热法，选用PEG为表面活性剂，探究用单因素实验法，考察反应物配比、反应时间、反应温度、表面活性剂用量、表面活性剂种类对合成硫化亚锡的影响，并对产物进行了各项表征，确定最佳合成条件。用合成出的SnS与PVB树脂共混成半导体油墨，再添加一种或多种半导体材料（SnO2、ZnS），涂覆在柔性的PET塑料薄膜上成膜，观察不同的配比对成膜的影响，最后测试这种复合薄膜的综合性能。实验结论如下：（1）以二水合氯化亚锡SnCl2·2H2O为锡源，硫脲（NH2）2CS为硫源，选用PEG为表面活性剂，结果表明：反应物配比为1:1.2，反应时间14h，反应温度190℃，添加0.5gPEG1500时为最佳的合成条件。（2）在最佳条件下合成出硫化亚锡，结果表明：合成产物结晶性能良好、球状分散均匀，粒径在3-6μm之间；Sn、S两种元素摩尔分数之比接近1:1，物相较纯净；光吸收较强，与太阳辐射中的可见光有很好的光谱匹配，基本上成功的合成出了性能优良的硫化亚锡微米晶。（3）将SnS与PVB树脂共混制成一元SnS柔性薄膜吸光材料，结果表明：SnS添加的越多，复合薄膜的导电性能越好，吸光强度也越强，到添加量为SnS:PVB=3:1（质量比）时，综合性能已基本稳定，为最佳填充量。（4）鉴于薄膜的稳定性，添加SnO2、ZnS制备二元/三元化合物薄膜吸光材料时，选取半导体填料的添加量为半导体：PVB树脂=3:1（质量比）作为填充量。（5）在一元SnS化合物薄膜的基础上共混另外一种SnO2，这种二元化合物薄膜比一元SnS薄膜导电性能有较大提高，且SnO2添加量越多，复合薄膜的导电性能增强，吸光强度减小，表明SnS比SnO2对太阳光有更强的吸收，SnS可作为主体的吸光材料；其中，当半导体添加量为SnS:SnO2=3:1（质量比）时，清晰可见球状的SnS粒子均匀分散于树脂基体中，起到了导电通路的作用。当半导体添加量为SnS:SnO2=3:1（质量比）时，这种二元化合物薄膜吸光材料的综合性能最佳。三元薄膜吸光材料将在此基础上做进一步研究。（6）在二元化合物薄膜材料的基础上共混另外一种ZnS，ZnS的导电性能没有SnS、SnO2优异，ZnS的添加对三元化合物薄膜的导电性能没有改善；ZnS对太阳光的总体吸收效果不及SnS、SnO2，但是，对太阳光中的紫外吸收是三种半导体材料中最强的。