自2004年起,石墨烯以其优异的物理化学性质,吸引了众多研究者的目光。由于本征的石墨烯带隙为零,近年来的研究热点逐渐转向了六方氮化硼（h-BN）、过渡金属硫族化合物（TMCs）、IV族金属硫族化合物（GIVMCs）和黑磷等其它二维材料。作为IV族金属硫族化合物的一种,硫化亚锡（SnS）不但具有储量丰富、价格便宜、环境友好、稳定性好等特点,而且是为数不多的自然状态下呈现出P型半导体性质的材料之一。但是近年来制备得到的二维层状SnS厚度大,尺寸小,很难用于制备微纳电子器件,因而解决高质量大尺寸薄层二维层状SnS的生长问题,并探索其元器件的制备和应用显得尤为重要。本研究围绕二维层状SnS的材料生长、器件制备和器件应用三个方面展开研究,具体内容如下:（1）二维层状SnS的生长研究:分别采用物理气相沉积法和化学气相沉积法制备得到了二维层状SnS。通过光学显微镜（OM）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、拉曼光谱（Raman）、能量色散谱（EDS）和X射线光电子能谱（XPS）的表征,确定了采用化学气相沉积法制备得到的二维层状SnS纯度高,结晶度好,表面光滑平整,厚度为25-95 nm,尺寸为2-6μm。采用物理气相沉积法制备得到的二维层状SnS厚度在9-13 nm之间,尺寸大于5μm。（2）二维层状SnS基元器件的制作:采用相对于光学刻蚀法和电子束曝光法来说,价格便宜,操作简单,对样品损伤小的光刻图形转移法制备得到了二维层状SnS基元器件。探索得到适宜的PMMA溶液的质量分数为20%,旋涂的转速为2000转/min。制备得到的器件表面平整,材料和电极接触良好。（3）二维层状SnS基元器件的应用研究:探索了二维层状SnS基元器件在场效应晶体管和光电探测器方面的应用。该器件的空穴迁移率为0.12 cm²V^-1s^-1,开关比约为8.2,具有作为场效应晶体管的潜力;在不同波长的可见光照射下,该器件对于蓝紫光的响应度最高,可以达到156.0 AW^-1,探测度为2.94×10¹⁰jones,外量子效率为4.77×10⁴%,上升和下降时间分别达到了5.1 ms和8.8 ms,可以作为可见光光电探测器;在波长为850 nm的近红外光照射下,响应度可以达到1604 AW^-1,外量子效率为2.34×10⁵%,归一化探测度为3.42×10¹¹jones,上升时间τ_r为7.6 ms,下降时间τ_f为29.9 ms,能够作为柔性近红外光光电探测器。