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面对电子设备小型化、集成化的发展趋势以及高频电磁环境的日益恶化,EMC问题成为人们日益关心的重点。为了实现对高频电磁噪声信号的抑制,避免各级电路和各种电子设备之间的电磁信号干扰,保证一个良好的电磁环境,人们研究了各种新型抗EMI器件和材料。本文以高频磁性薄膜噪声抑制器为研究对象对其进行了原理到设计、制备各个方面的研究,主要内容如下:1.采用HFSS有限元仿真的方法对薄膜噪声抑制器进行了仿真,研究发现了三维尺寸影响了薄膜的退磁因子和磁导率,进而影响了薄膜的铁磁共振频率和噪声抑制效果;薄膜电阻对插入损耗和噪声信号功率损耗均有很大的影响,应合理控制薄膜电阻;多层膜的引入可以有效的减小涡流损耗造成的通频带内的插入损耗,同时提高阻带内的噪声抑制效果;计算和仿真了新型的铁磁性纳米阵列薄膜噪声抑制器,提出了提高薄膜噪声抑制器抑制效果和减小厚度的一些方法,为后文薄膜的制备提出了实验指导。2.采用固相反应法制备了Ni0.22Zn0.52Co0.03Fe2.23O4铁氧体靶材,通过磁控溅射工艺研究了FeCo薄膜的最佳制备工艺,得出了在Ar气流量30sccm、溅射功率200W制备工艺下薄膜具有最佳高频磁特性。3.采用贴靶的方法制作了FeCo基复合靶材,通过控制FeCo基靶上的NiZn铁氧体靶材数量控制薄膜的成分,溅射工艺采用FeCo的最佳制备工艺,制备了不同厚度的薄膜,最终得出随着NiZn铁氧体成分的提高,薄膜的电阻率提高,但是高频磁特性有所下降。4根据国际电工委员会(IEC)提出的62333标准制备了传输线薄膜噪声抑制器测试夹具,最终得到薄膜的噪声抑制频段得到了很大的拓宽,在2GHz-20GHz之间有良好的噪声抑制效果,最大噪声衰减达到了15dB。