随着半导体集成电路技术的不断发展，促进了新材料，新技术的快速进步，也使得半导体产业成长为工业界不容忽视的力量。但随着导线宽度的不断减小、晶体管局部密度的不断上升，电阻-电容（RC）延迟而引起的信号延时、导线间信号干扰以及功率耗散等，成为集成电路这项工艺技术发展时一个不可回避的课题。除了采用铜这类低电阻率金属替代铝外，如何降低介质层之间的寄生电容C是降低能耗、线间串扰和互连延迟的首要问题。由于C正比于k（介电常数），采用低介电常数(low k)介质薄膜作金属线间和层间介质以代替传统SiO2介质(k≈4)是非常有效的方法。常用的低介电性能聚合物和多孔材料也存在一些不足，寻找和开发新的低k材料作为介质已成为技术关键。本文研究了分子构型及堆积方式对材料的介电常数的影响，以及两种材料之间的转换。论文的主要工作分为以下三个部分：1、综述了国内外低介电材料的研究进展，探讨了本体低k材料，掺杂二氧化硅和纳米低k材料这三大类低介电杂化材料的机理及应用，并讨论了现有的降低介电值的有效方法及低介电薄膜的基本制备办法。2、以溶剂热方法合成了两种堆积方式不同的吡啶嗡盐化合物v-C12H14I2N2(1)和p-C12H14I2N2(2)，通过热重、紫外、变温XRD等手段进行表征，探讨了堆积方式对介电性能的影响，并且通过理论计算解释了相关结果。通过控制条件的变化得到两种材料的相互转化。3、设计合成四种吡啶嗡盐化合物(化合物3-6)，并对这四个化合物进行了单晶结构的测定分析，表征了它们的红外、元素分析等，确定了它们的结构。通过结构讨论分析四种化合物作为低介电材料的可能性。