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本文以AAO纳米结构分别作为表面减反光栅和背反射光栅设计了一种新型的薄膜硅太阳能电池。理论分析设计了AAO纳米光栅结构参数。采用TracePro光线跟踪软件研究了不同占空比和光栅常数对薄膜硅光吸收的影响，得到了最佳的结构参数。理论分析结果表明，入射波长取AM1.5中数值最大的点对应的波长为532nm，表面减反光栅的光栅深度h表=75nm，最佳占空比f表=0.5，光栅常数应在152nm到532nm之间。背部反射光栅的最佳深度h背=78.6nm，占空比f背=0.5，孔半径为157.2nm。 在以上理论分析的基础上，运用基于FDTD理论基础的CST软件对这种新型结构的薄膜硅太阳能电池进行模拟。分析比较不同AAO纳米结构的参数薄膜硅太阳能电池的光吸收谱，优化AAO纳米光栅的结构参数，最终确定表面透射光栅的光栅常数应为205nm。