当今大数据时代,传统硬盘在进一步提高存储密度的过程中,面临严重的超顺磁效应的制约,而存储单元分立的图案化磁记录介质有望取代传统连续磁记录介质,进一步提高存储密度。但是制备这种分立的图案化磁记录介质是非常困难的,需要繁琐的微加工工艺,而且由于记录单元多晶的结构特点以及微加工过程造成的结构损伤,使得存储单元之间的磁行为存在明显差异,尤其体现在宽的翻转场分布方面,不利于数据的准确写入。介观晶体是一类由分立的纳米晶体按照特定的晶体学取向自组装而成的超结构材料,由于其子单元单分散及单晶的结构特点,磁性介观晶体有望作为图案化磁记录介质,在改善翻转场分布方面发挥显著优势。目前,通过氧化物自组装过程已经合成出三维嵌入式的磁性介观晶体,单分散的单晶子单元三维方向嵌入于非磁性基体材料中。但是这种嵌入式结构对于硬盘的写入和读取操作是十分不利的,因此二维非嵌入式磁性介观晶体更有望应用于新型高密度存储领域。本论文围绕二维非嵌入式磁性介观晶体的制备与磁性研究以及探索磁性介观晶体对锰氧化物磁输运调控三个方面展开,主要内容如下:1.采用脉冲激光沉积（PLD）技术,利用钙钛矿与尖晶石氧化物界面/表面能的差异性,将种子层生长与氧化物自组装过程相结合,制备出二维非嵌入式CoFe₂O₄介观晶体。并通过原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）等结构表征技术对样品进行了详细的结构表征:这种二维非嵌入式CoFe₂O₄介观晶体,为四个{111}晶面闭合形成的金字塔形结构,具有单分散、应力弛豫、规则取向分布的结构特点。2.通过SQUID磁量计、磁力显微镜（MFM）、动态悬臂磁量计（DCM）分别对制备的CoFe₂O₄介观晶体进行了宏观和微观的磁性表征。本文制备二维非嵌入式CoFe₂O₄介观晶体具有倾斜磁各向异性,造成倾斜磁各向异性的原因可能是特殊金字塔形状,即形状各向异性;CoFe₂O₄纳米金字塔为单畴结构,磁畴结构具有较好的抗热扰动性;考虑到CoFe₂O₄纳米金字塔结构的对称性,应该具有四重倾斜磁各向异性轴,即可以存在八种磁化状态,目前本文已实现多种磁化状态间的调控转换。该实验结果表明,CoFe₂O₄介观晶体有望实现多态存储,进一步提高硬盘的存储容量。3.以CoFe₂O₄介观晶体为生长模板,在其上沉积La_0.7Sr_0.3MnO₃薄膜,制备了一种柱状纳米结构的La_0.7Sr_0.3MnO₃薄膜。借助四端法对其进行磁输运性质表征后发现,该柱状纳米结构La_0.7Sr_0.3MnO₃薄膜的庞磁阻效应（CMR）的温度区间,相比于外延La_0.7Sr_0.3MnO₃薄膜,得到了显著拓宽。在2 K-350 K的温度区间内,柱状纳米结构La_0.7Sr_0.3MnO₃薄膜的CMR都有较强的响应。此现象可归因于晶界处局域的自旋钉扎/耦合效应造成的顺磁-铁磁相变温度区间的拓宽,根据双交换理论,CMR效应是与顺磁-铁磁相变过程紧密耦合的,因此本文观察到了温度区间显著拓宽的CMR效应。