本论文以溴基有机-无机杂化钙钛矿材料为研究基础,表征三维和准二维钙钦矿材料的光电性质,制备和优化基于三维和准二维钙钛矿的发光器件,研究此类器件中电荷动态输运及其光电性质。具体工作如下:1.通过对钙钛矿膜厚、退火等条件的调整,制备并优化了三维溴基钙钛矿(CH3NH3PbBr3)发光二极管器件,并进一步在反溶剂中引入小分子添加剂BCP,制备了基于 ITO/PEDOT:PSS/CH3NH3PbBr3:BCP/Bphen/Ag 结构的器件。BCP的掺入,在没有改变CH3NH3PbBr3晶体结构的情况下,器件性能得到了明显的提升,得到了较低的启亮电压Vturn-on=2.5 V,亮度L=1.4 × 104 cd/m2,电流效率为η=3.2 cd/A。通过一系列的光谱表征、电子输运表征,证明BCP对三维钙钛矿发光二极管性能提升可归因于三方面的原因:降低了钙钛矿晶粒尺寸;显著降低缺陷态密度(nt);优化界面,提升电子迁移率(μe)。2.通过PL光谱、紫外吸收光谱、XRD光谱等测试手段,分析探究不同n值下溴基准二维钙钛矿材料(PEA2(MAPbBr3)n-1PbBr4)的光电性能。制备并优化了以n=4时准二维钙钦矿发光二极管器件。并在器件制备中引入溶剂氛围退火优化处理方式,降低准二维钙钛矿成膜粗糙度,减少器件漏电流,从而进一步提升器件性能。通过溶剂氛围退火优化处理的器件亮度最高可达3.6 × 103 cd/m2,电流效率可以达到11.36 cd/A。并通过交流阻抗谱测试,系统分析研究了溶剂氛围退火对准二维钙钛矿器件在载流子注入、激子的辐射复合的影响。为优化准二维钙钛矿成膜质量提供了新的方法。本论文中图31幅,表8个,参考文献97个。