随着半导体技术的发展,多功能集成电路及多芯片模块(MCM)技术正逐步在射频通信中广泛使用,采用这些技术实现的多功能、小型化专用集成电路(ASIC)正在逐渐替代传统的单一功能射频集成电路和模块,多功能ASIC的出现使得射频链路的设计大为简洁,目前在GSM.TDSCDMA等基站射频系统设计中正在逐渐被采用,它们或者将上下变频功能和放大器集成在一起,或者将多个通道集成在一起,使得通信系统的射频链路设计大大简化,多功能的射频ASIC正成为射频器件技术发展趋势。本课题完成了砷化镓四通道可变增益放大器模块的研制工作,该产品包含砷化镓放大器、数控衰减器、开关以及无源功分器和驱动器芯片,并采用MCM技术,将多种芯片高密度的封装到单个LGA基板上,最终完成具有较复杂功能、多通道集成的ASIC。本文设计的砷化镓电路芯片均采用砷化镓赝配高电子迁移率场效应管器件(以下简称PHEMT)制作,驱动器芯片采用硅互补型双极晶体管器件(以下简称硅CMOS)制作,采用PHEMT制作了一颗集成了放大器、数控衰减器、开关和功分器的多功能芯片,采用CMOS工艺制作了一颗串并转换芯片,在本文中,详细阐述了这些芯片所采用的工艺路径、器件模型以及电路拓扑设计和版图绘制。另外,多芯片MCM产品研究的另一个重要内容是讨论了几种可以采用的制作MCM多芯片模块产品的方法,分析了各种方法的优缺点,然后,本文针对本课题研发产品所采用的MCM-L制成进行了重点研究。该产品在项目结束时完成一系列芯片的设计与加工,通过MCM-L的方法完成了成品的制作,并且完成了整体产品的测试,在整机实验中得到了良好的结果。