发光二极管(Light-Emitting Diodes,LEDs)一直以来在照明和显示领域都有着广泛的应用。随着技术的不断进步与成熟,发光二极管也在朝着高亮度、高色彩饱和度、节能和环保的方向发展。量子点材料,自其被发现以来,就以其饱和的发光色彩,高的场致发光效应和强大的发光团而获得了广泛的关注,进而也奠定了其在半导体发光二极管中应用的基础。对QLEDs而言,蓝光QLEDs性能次于红光和绿光QLEDs。原因在于和红光绿光量子点材料相比,蓝光量子点材料具有较低的最高分子占据轨道(Highest Occupied Molecular,HOMO),因此在量子点和空穴传输层之间有一个较大的能级势垒,使得空穴注入困难,发光层电子空穴不平衡,导致器件性能较低。在本文中,我们以CdZnS/ZnS核/壳结构的量子点作为蓝色发光材料,选用Poly-TPD作为空穴传输层,并突破性的选用脱氧核糖核酸(Deoxyribonucleic Acid,DNA)作为缓冲层,制得了高性能的蓝光QLEDs。DNA可以有效提高空穴注入效率,同时其最低分子未占据轨道(LUMO)位置较高,有助于把电子限制在发射层中,从而保证了量子点层中的电荷平衡和良好的复合效率。器件制备除电极材料之外均采用溶液加工法,避免了蒸镀过程的繁琐工艺。最终得到了亮度在16000 cd/m2以上,电流效率在2.3 cd/A以上的具有优良色纯度的蓝光 QLEDs。除此之外,结合反向器件结构的优势,采用CdZnS/ZnS量子点作为蓝色发光层,我们制备出了基于ITO/ZnAlO/QDs/PVK/PEDOT:PSS/Al结构的反向器件。和正向结构器件相比,反向结构器件亮度在37000 cd/m2以上,电流效率在5 cd/A以上,优异的器件性能为蓝光QLEDs的商用奠定了基础。