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本论文分别采用单极性、双极性两种电源模式对微弧氧化工艺进行探索研究。在单极性M2电源模式下,电参数除电压外,其余电参数均取相同值,电解液取相同配方的硅酸盐体系电解液。在预定的不同电压下寻找达到相同膜层厚度的实验时间。实验共分为两组,第一组为制备25μm膜厚的实验,包括430V、440V.450V.460V.470V.480V.490V7个电压；第二组为制备40μm膜厚的实验,包括465V.470V.475V.480V.485V.490V6个电压。实验结果表明不同电压下制得的25μm膜厚的各试样的腐蚀电流、腐蚀电位不尽相同。其中450V对应工艺的试样膜层腐蚀电位最大,达到-1.2627V,单位面积腐蚀电流取对数值(log(Current/A·cm-2)为：-7.62A·cm-2为几组工艺中耐腐蚀性最好的。440V对应工艺的试样膜层腐蚀电位最小,为-1.5704V,但是单位面积腐蚀电流取对数值(log(Current/A·cm-2))为-7.09A·cm-2,说明440V对应的工艺试样膜层容易腐蚀,但是腐蚀剧烈程度较小。430V、460V、470V、480V、490V的几组工艺Tafel曲线较为聚集,腐蚀电流和腐蚀电位都比较靠近,膜层耐蚀性能相近。对不同电压下取得25μm膜厚的能量消耗与反应电压之间进行回归分析,得到能耗—电压回归方程为：y=5549921-34782.4x+72.68003x2-0.05063x3对不同电压下取得25,μm膜厚的反应时间与反应电压之间进行回归分析,得到反应时间—电压回归方程为：y=1645390-10372.7x+21.80238x2-0.01528x3不同电压下制得40μm膜层厚度的腐蚀性能并不相同。高电压490V对应工艺的膜层腐蚀电位最大,达到：-1.43V,单位面积腐蚀电流取对数值(log(Current/A·cm-2)为：-6.87A-cm-2,是几组工艺中耐蚀性最好的。480V对应工艺的膜层腐蚀电位在几组工艺中第二大,达到：-1.46V,单位面积腐蚀电流取对数值(1og(Current/A·cm-2)为：-6.99A·cm-2,是几组工艺中最小的,说明膜层腐蚀剧烈程度最低。465V、470V、475V、485V对应几组工艺腐蚀电位相近,分别为：-1.56V、-1.46V、-1.58V、-1.65V。单位面积腐蚀电流取对数值(log(Current/A·cm-2))分别为：-7.10A·cm-2、-7.16A·cm-2、-6.98A·cm-2、-7.04A·cm-2,它们的耐蚀性较差。对不同电压下取得40μm膜厚的能量消耗与反应电压之间进行回归分析,得到能耗—电压回归方程为：y=48080152-295431x+605.3087x2-0.41353x3对不同电压下取得40μm膜厚的反应时间与反应电压之间进行回归分析,得到反应时间—电压回归方程为：y=16222300-100498x+207.5873x2-0.14296x3实验表明：两组膜厚工艺条件下,取得相同膜厚的微弧氧化反应能耗都随着电压增大而单调降低。反应时间也随着电压升高而单调递减。这说明要达到相同膜层厚度,高电压下具有时间短,能耗低的特点。在双极性M1电源模式下,采取五元二次回归正交实验设计。考虑的自变量电参数有：正电压x1、负电压x2、频率x3、占空比x4、时间x5。以及交互作用x1x2、x1x3、x1x4、x2x3、x2x4、x3x4。因变量评价指标有y1至y8共8个,分别为：膜厚/μm,能耗/KJ,点滴实验点滴液变白时间/s,点滴实验点滴液全白时间/s,线性极化电阻取对数/Ω,腐蚀电流取对数A/cm2,腐蚀电位/V,重厚比mg/μm。拟合结果表明：膜厚与各电参数之间回归方程为：y1=73.0018-0.1548x1-0.2224x2-0.016x3-2.2009x40.4517x5+6.0568(e-4)x1x2+2.4172(e-4)x12-2.956(e-5)x22+6.1942(e-6)x32+0.0466x42-0.0064x52能耗与各电参数拟合方程为：y2=3.347(e+3)-10.102x1-2.6205x2-0.0702x3-206.2579x4+0.0147x1x2+0.0215x12-0.004x22+1.2043(e-4)x32+4A929x42+0.6166x52点滴液变白时间与各电参数拟合方程为：y3=450.4145-3.0563x1+0.5896x2-0.0073x3-3.379x4+0.8386x5-0.0014x1x2+0.0054x12-9.0287(e-4)x22+4.1695(e-6)x32+0.0866x42因此点滴液全白时间与各电参数拟合方程为：y4=1.1182x5-3.8286x1+0.5321x2-0.0013x3-4.2003x4-0.0016x1x2+0.0067x12+7.9481(e-A)x22+3.5927(e-6)x32+0.0971x42-0.0025x52+574.9835线性极化电阻与各电参数之间拟合方程为：y5=-0.0l57x1+0.0132x2-3.2167(e-4)x3-0.0163x4+0.0154x5-3.4732(e-5)x1x2+2.3941(e-5)x12-2.7301(e-5)x22+1.5878(e-7)x32+6.6289(e-4)x42-4.1902(e-4)x52+7.2456腐蚀电流与各电参数之间拟合方程为：y6=0.0549x1+0.0067x2-0.0015x3+0.6059x4+0.0474x5+1.8244(e-5)x,x2-7.8249(e-5)x12-9.9322(e-5)x22+5.673l(e-7)x32-0.0133x42-0.0011x52-22.1893腐蚀电位与各电参数之间拟合方程为：y7=-0.0035x1+0.0011x2+3.796(e-5)x3-0.0689x4-0.0039x5-4.5779(e-6)x1x2+5.1947(e-6)x12+8.4554(e-6)x22-2.7295(e-9)x32+0.0013x42+1.0169(e-4)x52-0.0744重厚比与各电参数之间拟合方程为：y8=0.0094x1+0.0344x2+9.1641(e-4)x3+0.3776x4-0.0094x5-1.0493(e-4)x1x2-7.7883(e-7)x12+6.8113(e-5)x22-4.1859(e-7)x32-0.0076x42+1.3931(e-4)x52-5.67418个回归方程表明了膜层性能与各电参数之间的关系。