高硅铝合金作为新型电子封装材料,具有密度小、热稳定性好、比强度和比刚度高等优点,有望取代可伐合金等传统的电子封装材料,在航空航天、电子封装等领域有广阔的应用前景。本文使用高硅铝合金（CE11）与可伐合金（4J29）作为研究对象,研制新型钎料实现异种材料之间的连接。使用Al-Si-Cu系钎料,改变Si和Cu的配比,对钎料及钎焊接头进行分析测试,获得最优中间钎料的配比为Al-7.5Si-23Cu。向Al-7.5Si-23Cu中间钎料中添加Ni元素,改变Ni的含量重复以上试验,选出Al-7.5Si-23Cu-2Ni为最优中间钎料,最终向钎料中添加Ti元素,探究钎料中Ti的含量对钎料性能及钎焊接头的影响。用于未镀镍高硅铝与可伐合金和镀镍高硅铝与可伐合金的真空钎焊试验,分别确定最优钎料和最佳钎焊工艺。使用DSC、XRD、SEM、EDS、金相显微镜、万能试验机与氦质谱检漏仪对钎料、接头及剪切断口进行测试与分析。研究结果如下:使用不同Ti含量的箔状钎料对未镀镍高硅铝与可伐合金进行真空钎焊研究,接头的剪切强度和气密性均随着钎料中Ti含量的增加呈现出先升高后降低的趋势。当钎料中Ti含量为1.0wt%时,即采用成分为Al-7.5Si-23Cu-2Ni-1Ti的钎料,在最佳钎焊工艺条件下:钎焊温度为580℃、保温时间为30min,获得的钎焊接头剪切强度最高达到96.62MPa,漏气率最低,达到10-10Pa·m3/s。剪切断口位于高硅铝母材处,断裂形式为脆韧性混合断裂。采用化学镀工艺对高硅铝合金进行镀镍处理,镀层组织致密、均匀,镀层厚度为8-12μm,与高硅铝母材结合紧密。使用不同Ti含量的箔状钎料对镀镍高硅铝与可伐合金进行真空钎焊研究,接头的剪切强度和气密性均随着钎料中Ti含量的增加呈现出先升高后降低的趋势,当Ti含量为1.5wt%时,接头剪切强度和气密性达到最大,此时最优钎料成分为Al-7.5Si-23Cu-2Ni-1.5Ti。使用该钎料对高硅铝与可伐合金进行真空钎焊试验,最佳钎焊工艺为:钎焊温度590℃,保温时间45min,此时所获得的钎焊接头剪切强度最高达到83.54MPa,漏气率最低,达到10-9Pa·m3/s。此时剪切断裂位置在钎料层处,断裂形式为脆韧性混合断裂。对试验结果进行分析发现,使用最优钎料,在最佳钎焊工艺下,未镀镍高硅铝与可伐合金和镀镍高硅铝与可伐合金所获得的接头均能满足电子封装的要求。该研究课题很好的解决了高硅铝与可伐合金异种材料之间的连接难题,可用高硅铝替代传统密度较大的可伐合金作为电子封装材料,可以极大的减轻封装材料的重量,提高飞行器等器件的运行半径,对我国的国防事业具有重要意义。