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空穴传输材料是一种非常重要的有机光电材料，可应用于多种有机半导体器件中。热稳定性是空穴传输材料非常重要的性质之一，当热稳定性较差的无定形材料在器件中发生聚集或结晶时会影响器件的效率和寿命。无定形的物质在受热时发生的结晶行为称为冷结晶，这一行为最易发生在器件的工作中。玻璃化温度（Tg）是表征材料热稳定性的非常重要的参数之一，但是又不能概括材料在器件中的冷结晶行为和薄膜受热后的形貌变化。因此，本文采用了四个最常见的空穴传输材料，利用DSC研究了材料的粉末非等温冷结晶动力学，以UV-vis光谱，XRD，SEM，AFM和TOF为手段研究了薄膜热诱导稳定性。N,N,N′,N′-四苯基-1,1′-联苯4,4′-二胺（TPB）和N,N,N′,N′-四（对甲苯基）-1,1′-联苯4,4′-二胺（TTB）较易发生冷结晶行为。提高升温速率能够增加样品的冷结晶速率，但当升温速率分别升至40℃/min和30℃/min后由于二次结晶的影响冷结晶速率不再上升。TPB的冷结晶行为随着退火处理的进行会由成核控制转变为生长控制，而TTB则一直是成核控制。相同条件下TPB的冷结晶速率大于TTB。这两种材料都可以通过真空蒸镀形成无定形薄膜，经过退火后薄膜会出现堆积甚至发生冷结晶。TPB薄膜退火后有序度高于TTB薄膜，在相同处理条件下有着更高的空穴迁移率。N,N′-二苯基-N,N′-二（间甲苯基）-1,1′-联苯4,4′-二胺（m-TPD）和N,N′-二苯基-N,N′-二（对甲苯基）-1,1′-联苯4,4′-二胺（p-TPD）在简单加热过程中不易发生冷结晶，但是经过退火处理后则能够发生冷结晶。m-TPD在较宽的退火温度范围内都表现出了冷结晶的性质，在0℃至50℃之间退火时表现为成核控制，其余表现为生长控制。介电谱的研究表明，m-TPD分子整体运动在48℃以上会加强，使无定形态m-TPD更不稳定。p-TPD在0℃至50℃之间退火时能够发生冷结晶，为成核控制，在此温度范围内的相同条件下，p-TPD的冷结晶速率高于m-TPD。经过退火后，p-TPD薄膜的有序度高于m-TPD，有更高的空穴迁移率。通过计算机模拟处理样品的XRD可获得样品的晶体参数，但是由于样品在结晶时可能是两种或以上晶型并存，采用此方法得到的误差较大。对四个样品的模拟结果显示四种样品的主要晶型分别为：TPB为正交晶系，Fdd2空间群；TTB为正方晶系，P42/nbc空间群；m-TPD为正交晶系，Pca21空间群；p-TPD为单斜晶系，P21/c空间群。