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高压功率脉冲技术在工业、军事、环境保护等许多领域都有着广泛的应用。固体脉冲调制器是通过开关器件获得瞬间的大功率高压脉冲波形,因此开关器件的性能直接影响着固态脉冲调制器的输出信号脉宽、功率、瞬态等特性。传统的开关器件大多数是以氢闸流管为主的真空开关器件,这种器件虽然能够满足高频窄脉冲输出,但是它的体积大,效率低,并且较低的耐压、耐流值也限制了输出更高功率的信号。目前,绝缘栅极晶体管IGBT(Isolated Gate Bipolar Transistor)已成为脉冲调制器的理想开关器件。与传统真空开关器件相比,IGBT不仅在高重复频率的工作条件下有着更高的稳定性和更高的功率容量,还具有体积小、重量轻、驱动电路设计简单等优点。但是随着工业技术的发展,固态脉冲调制器的输出功率等级要求已经变得越来越高,单个IGBT的耐压值和耐流值却达不到设备使用的要求,也限制了IGBT的应用和发展,将多个IGBT通过串联或者并联组合使用的方式就可以提高整个开关的输出功率。但是这种方法又很容易引起开关运行不同步,严重时还会导致IGBT损坏。因此,研究串联均压技术和并联均流技术是解决IGBT串、并联扩容问题的关键。本文首先介绍了IGBT的工作原理以特性,在此基础上设计了一种高性能的采用EXB841驱动芯片的IGBT栅极驱动保护电路。接着从静态因素和动态因素两个方面分别分析IGBT串联组合和并联组合时的工作失衡问题,并使用栅极驱动端均压方法改善串联电压的分布不均,使用调节栅极电压方法改善并联电流的分布不均。本文完成了均压、均流实验电路的硬件电路设计,进行了开关特性测试,并从电路实验方面进一步对整体电路的性能进行验证。最后使多个串联IGBT电路工作在高压条件下,完成了串联均压实验电路的稳定性测试;多个并联IGBT电路在流过大电流条件下,完成并联均流电路验证。实验结果证明本文设计的IGBT均压、均流电路是可行的。大部分文献仅是通过软件仿真的方式分析串、并联电路的开关不平衡特性,本文通过制作硬件电路完成实验,验证了所设计的IGBT串联均压电路和并联均流电路中的开关特性和整体电路的稳定性,直观、经济、可靠地提高了IGBT的输出功率,为固态脉冲调制器输出更高功率脉冲电信号提供了实验基础。