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半导体光催化技术被认为是解决环境问题、能源问题的重要技术。g-C3N4因其结构独特,不含重金属,稳定性好等优点被认为是理想的光催化半导体材料。但是实际应用中g-C3N4光生载流子容易复合,导致催化活性难以达到工业要求。因此如何有效的分离光生电荷,获得较高的光催化活性具有重大意义。利用无机酸表面修饰,捕获光生电子,提高电荷分离,已经获得一定的成功。其中硼酸及硼酸盐由于容易团聚,并没有得到广泛的采用。因此,本文通过硼酸及硼酸盐对石墨相氮化碳的表面修饰,提高光生电荷的分离,继而提高光催化降解污染物活性和光