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Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物GaInAsSb材料，随着材料组分变化，它的带隙在1.42～0.1 eV的范围内变化，覆盖了1～3微米、3～5微米、8～14微米三个重要红外波段。与GaSb衬底晶格匹配的GaInAsSb的禁带宽度可以覆盖从1.7μm至4.3μm的波段，这种材料在红外成像、污染监测、工业控制等方面有重要的实用价值，同时在未来的超低损耗光纤通信中又具有潜在应用。GaInAsSb红外探测器是一种新型化合物半导体材料红外探测器，具有响应速度快、灵敏度高、稳定性好、成本低、易于集成、器件性能均匀性好等优点，特别是该器件可在室温条件下工作的特点，尤为被重视。 本学位论文对器件工艺、器件的表征进行了研究，改善了器件工艺和探测器的器件性能，有利于器件的进一步实用化，取得了如下结果： 1、计算模拟了PIN结构GaInAsSb室温中红外探则器的暗电流特性，建立了探测器PSPICE模型，模拟结果和测量结果基本符合，计算结果表明器件表面和内部的缺陷对GaInAsSb探测器反向特性有较大的影响。 2、研究了P型GaInAsSb和N型GaSb化合物半导体的欧姆接触和合金化条件，并对样品进行了SEM和XRD分析。实验结果表明P型GaInAsSb的TiPtAu和AuZn已经形成欧姆接触，在295℃到305℃，合金化温度越高，欧姆接触越小。TiPtAu比AuZn的比欧姆接触要小，而且比欧姆接触的大小也更稳定。N型GaSb在蒸发AuGeNi后，不能自然形成欧姆接触，说明金属半导体之间有势垒存在；合金化研究表明，295℃后开始形成欧姆接触，但305℃时无法测定数值，表面出现结球现象。说明N型GaSb的AuGeNi合金化温度应该控制在300℃左右。三种比欧姆接触都可以达到10-5Ω·cm2量级，可以满足器件要求。 3、通过GaInAsSb红外探测器及GaInAsSb样品表面的（NH4）2S钝化，器件的反向特性和光学特性都有比较大的改善，GaInAsSo红外探测器的黑体探测率Db*在硫化铵钝化后由6.9×108 cm·Hz1／2·W-1提高到2.0×109 cm·Hz1／2·W-1，探测器的峰值探测率达到4.83×1010 cm·Hz1／2·W-1。对GaInAsSo样品的AES和XPS分析表明，S在GaInAsSb表面首先与Ga、Sb形成S-Ga、S-Sb键，因而可以减小表面复合， 同时S原子又与更表面的S原子形成S一S键，钝化后的外延片表面形成硫单质， 钝化效果稳定。硫钝化后，有效地消除了Ga工nAssb表面悬挂键，减小了表面 态，使表面复合速度减小，从而改善了探测器的反向特性和探测率。90天后 测量，器件的IV特性和探测率并没有明显变化，说明钝化效果稳定。4、研究了GalnASSb探测器单层增透膜的生长，测量结果表明生长增透膜后可以 使探测率有20一40%左右的提高，器件的卜V曲线基本上没有变化。其中器件 生长510后，效果最好，器件的黑体探测率可以提高40%左右。在生长增透膜 时要求生长在Z000C以下，当生长温度大于2000C时，器件的卜V特性变差， 器件受到破坏。5、研究了Ga工l:ASSb红外探测器前置放大器的设计，通过分析低噪声放大器的设 计理论，研制了用分立晶体管搭建的前置放大器，同时也研制了用集成运放 工CL765O建立的放大电路，经过测试这两种放大电路都可以比较好的工作。