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一种基于来自n型半导体材料的电子与来自p型半导体材料的空穴在界面实现全界面的复合,实现对能带的有效调节,使得Zn O本征的紫外发光峰向紫外可调的白光发光峰偏移,制成白光发光二极管。该白光发光二极管通过化学气相沉积法并同步退火一步实现硅(Si)掺杂n型GaN薄膜上生长锑(Sb)掺杂p型ZnO阵列,制成异质结作为发光层。在工作电压为8-15.5 V时,LED器件发出的白光的色坐标为(0.418,0.429)。元素分析测试表明Sb掺杂含量为1-2%。4.65K的低温光致发光谱表明Sb掺杂形成了深掺杂能级与稳定的受主能级。结合IV曲线测试,分析表明Sb掺杂ZnO阵列为p型半导体。室温条件下,ZnO的本征紫外发光谱在电压4-15.5V时受到抑制。该论文的研究具有较大的先创性,对于科学研究与商业开发提供了重要信息,我们简要给出以下三点创新点:1.一种基于来自n型半导体材料的电子与来自p型材料的空穴在界面实现全界面的复合,实现对能带的有效调节,使得n型、p型半导体各自的基于带边复合受到抑制。2.通过Sb掺杂ZnO成功实现p型ZnO并且实现发光二极管。3.基于Sb掺杂p型Zn O阵列与硅掺杂n型GaN薄膜的异质结发光二极管使得Zn O紫外发光峰调节到可控的可见光白光发光区,并且在电压为8-15.5V时,色坐标稳定在(0.418,0.429)附近。