超导动态电感探测器又称微波动态电感探测器，是采用低能隙超导材料（如Al、TiNx等）而制成具有高Q值的共面波导谐振器，其通过入射光子拆散Cooper Pairs造成超导薄膜表面动态电感和Q值的变化进行探测。采用平面制备工艺和频分复用读出方式，在大型阵列集成中具有明显优势，已经成为太赫兹波段灵敏度最高的探测器之一。其在天体物理学领域尤其是在宇宙微波背景辐射探测方面价值巨大，已在一些相关探测任务中发挥重要作用。　　首先，本文从太赫兹天文学引入，介绍低温超导太赫兹探测器的发展历程，以及该类型探测器在当今天文探测任务中的应用。同时简单分析了MKIDs探测器的工作机制和相对其他探测器的优势。　　其次，介绍了超导薄膜的电动力学，结合共面波导（CPW）和四分之一波长微波谐振器的特性，深入综合的研究了MKIDs探测器的探测机理。　　再次，结合实验室设计的64像元的芯片，对芯片的超导薄膜工艺制备过程进行了详细的讲解，包括涂光刻胶、紫外线曝光、蒸镀镀膜、光刻胶剥离等工艺。利用方块电阻测量仪测量薄膜方块电阻和电阻率等参数，并结合 X射线衍射仪（XRD）对薄膜进行晶粒尺寸，结晶度，晶向等参量进行分析。利用自动超声波电焊仪进行芯片的安装固定。　　最后，本文将芯片安装在真空杜瓦，利用稀释制冷机营造毫开温区环境，在矢网上测量其传输系数。分析不同温度，不同输入功率以及杜瓦窗口不同探测目标对谐振特性的影响。得到了与设计频率（4-5.575GHz）符合度很好的芯片，其Q值高达104。　　本文具有以下特色：1)利用XRD对芯片微观结构及成膜质量进行分析，为以后镀膜工艺参数优化和提高探测器性能提供积累材料。2）分析实际Q值随谐振频率和温度的变化。将设计的耦合因子跟理论计算值进行对比，找出两者的差异并分析其原因。3）给出了实测谐振频率随温度的偏移率变化曲线，并利用Mattis-Bardeen理论拟合和实测值进行了对比分析。