本文采用高压结合超高频的技术路线，在等离子体增强化学气相沉积设备中实现了微晶硅材料和太阳电池的高速沉积，并结合测试等离子体光谱、薄膜的光电特性以及结构特性等手段，分析了影响微晶硅沉积速率和薄膜质量的原因。主要内容如下： ⑴系统研究了气压、功率、硅烷浓度、衬底温度、气体流量以及电极间距等因素对微晶硅生长速率的影响，并结合OES谱分析了影响生长速率的原因。 ⑵详细研究了影响高速沉积的微晶硅薄膜质量的工艺参数。指出要高速沉积高质量的微晶硅薄膜，必须保证反应气维持适宜的气体滞留时间，在提高压力或增大电极间距的同时需要增加气体总流量。 ⑶通过减小气体滞留时间获得了生长速率为13A/s的微晶硅电池，在以SnO<,2>/ZnO复合膜为衬底、没有背反射电极的情况下，效率达到5.4％。