【摘 要】
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本文在有效质量近似下,选取双量子阱异质结构GaAs/Al0.3Ga0.7As作为电子隧穿输运的结构,利用投影格林函数方法(PGF)和递归法,研究了电子从一个阱中逃逸问题.此外,这种方法还
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本文在有效质量近似下,选取双量子阱异质结构GaAs/Al0.3Ga0.7As作为电子隧穿输运的结构,利用投影格林函数方法(PGF)和递归法,研究了电子从一个阱中逃逸问题.此外,这种方法还被用来研究当计入k3Dresselhaus自旋轨道耦合效应后,电子自旋极化隧穿问题.首先,结合PGF和递归法求解薛定谔方程,以GaAs/Al0.3Ga0.7As作为量子阱结构计算和分析了电子逃逸时间,研究了结构参数对隧穿寿命的影响.结果表明,隧穿寿命随第一个势垒厚度的变化迅速增加.而第二个势垒厚度的变化对电子的隧穿寿命影响很小；势阱宽度的变化对电子隧穿寿命的影响是相反的.另外,在计入k3Dresselhaus自旋轨道耦合效应后,还研究了非对称双量子阱异质结构GaAs/Al0.3Ga0.7As中,不同自旋取向电子的隧穿寿命和电子的自旋极化率.研究表明,当计入k3Dresselhaus自旋轨道耦合后,自旋向上电子对应的洛伦兹峰值位置向高能区域移动,而自旋向下电子对应的洛伦兹峰值位置向低能区域移动,不考虑自旋时的隧穿寿命介于二者之间.同时,电子的隧穿寿命发生了自旋劈裂,且自旋向下电子的隧穿寿命大于自旋向上电子的隧穿寿命.电子的自旋极化率受阱宽和垒厚的影响.电子自旋极化率随阱宽的变化出现了不同情况的振荡；随势垒厚度厚度的变化出现很大程度上的变化.
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