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GaSb属于窄禁带Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,其禁带宽度为0.72eV,主要用于红外和近红外光纤、光敏器件、叠层电池下电池及热光伏发电。因为Ⅲ-Ⅴ族材料单晶生长技术的进步,促进了GaSb热光伏电池的研究。GaSb热光伏电池的光谱响应极好的与热红外发射体发出的波长匹配,因而GaSb被选作TPV发电系统的发电核心。国际上GaSb电池的研制已经取一定的成果,并正试图提高光电转化效率。而在我国,GaSb电池的研究刚起步。本篇文章首先介绍了GaSb的基本物理特性和光伏电池的基本原理,并着重阐述了暗电流、开