【摘 要】
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本文较为系统的介绍了GaInNAs应变量子阱材料在光增益、输出波长以及对温度的敏感性等方面的特性,并从理论上对其形成机制作了初步的探讨,对并入其中的N组分引起的反常弯曲系
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本文较为系统的介绍了GaInNAs应变量子阱材料在光增益、输出波长以及对温度的敏感性等方面的特性,并从理论上对其形成机制作了初步的探讨,对并入其中的N组分引起的反常弯曲系数成因给出了一定的解释。同时利用分子束外延(MBE)技术生长了InGaAsN量子阱半导体激光器材料,采用脉冲阳极氧化(PAO)工艺制作了脊型波导半导体激光器。并对其制作工艺进行系统介绍和研究。对该激光器进行的测试显示:其输出波长为1.31μm,阈值电流为18mA,阈值电流密度为360A/cm2,室温下连续工作时的最大功率为14mW,特征温度为135.1K,内量子效率76%。这些数据初步展现了GaInNAs应变量子阱材料所具有的优良特性。
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