随着日益严重的能源问题和环境问题使得人们对电能变换的效率、品质越来越关注，也引导了功率半导体器件沿着高效率、高频率、高耐压、高功率、集成化、智能化等方向迅速发展。本文首先详细的阐述了影响二极管特性的物理参数，这些参数主要影响二极管的反向饱和电流、正向压降、最大击穿电压和导通与关断之间的转换速度；其次对于普通PIN二极管的设计进行了详细说明并举例来说明计算各个静态参数的方法。之后又重点的分析了PIN二极管的动态特性，通过对动态特性的分析得出了现代PIN二极管的设计方法并举例加以说明。本文提出了改善现代PIN二极管反向恢复特性的方法：1.降低阳极浓度；2.基区采用穿通结构+缓冲层；3.降低基区的少数载流子寿命。最后，通过SILVACO-TCAD仿真软件对所举实例进行仿真验证，仿真结果与理论分析达到一致；同时还对改善反向恢复特性的方法进行了多次仿真验证，仿真结果为：1.降低阳极浓度与减小少数载流子寿命使得反向恢复电流减小，软度因子达到大于1；2.加缓冲层结构的二极管进一步减小了反向恢复峰值电流，软度因子提高到大于2；所以从仿真结果可以看出现代PIN二极管的反向恢复特性得到了很好地改善，对于现代PIN二极管设计方法的研究具有一定的参考价值。