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ZnO压敏电阻器以优良的非线性和高浪涌承受能力而得到广泛的应用。本文综述了氧化锌压敏瓷的发展状况以及结构、导电机理、电气性能、蜕变机制等,并以此为基础，通过调整ZnO压敏瓷的添加剂配方和制备工艺、共沉淀法制备复合添加剂粉体、电老练等办法，来改善压敏瓷的微观结构和微观成分的均匀性，进而提高ZnO压敏瓷的通流能力。 通过调整配方中锰、钴、铋添加剂的添加比例来控制晶粒尺寸大小、晶界势垒厚度，进而控制ZnO压敏瓷的压敏电压、非线性系数等小电流特性。调整后的配方制备的ZnO压敏瓷小电流特性非常优异。 共沉淀法制备ZnO压敏瓷纳米级添加剂。利用合适的沉淀剂，对配方中的锰、钴、铋三种元素进行共沉淀，再按照固相法的制备工艺制成ZnO压敏电阻器。实验证实，用共沉淀法制备的ZnO压敏瓷在通流能力上远远好于固相法制备的ZnO压敏瓷，共沉淀法成功的提高了ZnO压敏瓷微观结构的均匀性。同时，也对共沉淀实验中影响三种元素沉淀率的因素如滴定速度、金属盐溶液浓度、沉淀终点pH进行了研究，最终得到合适的沉淀条件。 为了进一步改善ZnO压敏瓷的通流能力，做了一系列的工艺改善。通过调整烧结温度为1100℃来改善ZnO压敏电阻器的压敏电压和漏电流等小电流特性；制定了650℃热处理温度，有效的释放了由于晶格发生畸变而在ZnO压敏电阻器中积聚的应力，提高了ZnO压敏电阻器的通流能力；通过电老练，使处于深能级上的亚稳态电子跃迁到导带。实验证实，三倍的压敏电压老练一次就可以将ZnO压敏瓷的通流能力提高到100％。