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随着电子工业的蓬勃发展和社会信息化的不断深入,微电子技术在人类生产生活的方方面面发挥着越来越重要的作用。硅单晶是电子器件制造的基础材料,其质量直接关系和决定着现代电子信息产业的发展速度和潜能。实验研究和实际生产中人们主要通过直拉法生长获得硅单晶。硅单晶直拉法生长过程中,大量的固有点缺陷和杂质在固液界面处引入硅单晶基体并随着拉晶过程演化成各种微缺陷。这些微缺陷,如空洞、位错环、氧-空位复合体、氧沉淀等,严重影响硅单晶的质量,进而制约着微电子器件的使用性能和发展潜力。因此,开展直拉硅单晶生长过程中微缺陷