二维薄膜材料二硫化钨光学性质及双异质结层间偶合的研究

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类石墨烯二维薄膜材料以其丰富而新颖的独特物理、化学性质,优异的(潜在)性能成为近年来半导体材料及光电器件领域新兴的研究热点。单层或者少数层二硫化钨(WS2)作为类石墨烯材料的典型代表,尤其受到关注,其层内原子通过共价键相连,层间通过弱的范德华力相连,这种独特的结构特性赋予了其特殊的物理化学性能,在光电器件、传感器、太阳能电池、超级电容器等领域具有广泛的应用前景。WS2一个显著特点是具有1.3-2.1eV范围随层数可调控的带隙,这表明WS2光学性质具有很大的调控空间。若将WS2与其他二维薄膜材料结合形成异质结,可进一步调控其光电性质。本论文针对WS2这一特性及当前的研究热点,研究了表面修饰及WS2/GaTe、WS2/GaSe、WS2/GaS0.5Se0.5异质结对WS2薄膜光学性质的影响,具体研究内容如下:(1)采用化学气相沉积(CVD)方法,制备了单层WS2。研究了样品的光学性质,PL及拉曼测试表明,所制备的样品为高质量单层WS2。(2)采用硫脲和硝酸银作为反应源溶液对WS2进行表面修饰,研究硫化银修饰时间对WS2光学性质的影响。拉曼测试结果表明随着修饰时间的增加WS2的E12g峰位不断向低能方向移动,A1g峰位不变,这是由于硫原子呈电负性可与银离子通过静电相互作用使得平面内振动模式E12g的应力减弱而使峰位红移,但静电相互作用对平面外A1g振动模式没有影响。此外随着修饰时间的增加,两个拉曼峰的强度逐渐增强,这是由于硫化银修饰后使WS2表面拉曼散射增强。(3)通过机械剥离及转移方法制备了 GaTe/WS2/GaSe双异质结。拉曼测试结果表明,多层GaTe与单层WS2层间偶合是强偶合;单层WS2与多层GaSe层间相互作用较弱,退火可以使层间偶合加强。光致发光(PL)测试表明,异质结的发光来源于各组分发光的叠加,这大大拓宽了 WS2的发光范围。(4)通过机械剥离及转移方法制备了 WS2/GaS0.5Se0.5/GaSe双异质结。拉曼测试结果表明,单层WS2与多层GaS0.5Se0.5层间应力较弱,退火可以增加层间应力,多层GaSe与多层GaS0.5Se0.5层间应力较强,退火可以进一步增加此应力。PL测试表明,层间强偶合伴随着PL峰位的移动和峰的展宽,可以得到比较宽的PL光谱。
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