Ba(Zr0.2Ti0.8)O3-x(Ba0.7Ca0.3)TiO3(简称BZT-BCT)因其在准同型相界(Morphotropic Phase Boundary，MPB)的超高压电性能成为近几年的研究热点，对于该体系的薄膜材料研究也逐渐发展起来。目前报道的BZT-BCT薄膜最大压电系数只有141pm/V，与理论预测190~250pm/V还有较大差距。制备氧空位缺陷少、具有强烈择优取向的薄膜从而提高薄膜电性能已经成为现阶段BZT-BCT薄膜研究的主要内容。此外，国内外对于BZT-BCT复合薄膜关注较少，该领域研究几乎为零。本论文正是基于这些研究方向和研究空白开展工作，在磁控溅射制备薄膜基础上，通过溅射时通入氧气，向薄膜中引入种子层，优化种子层的结晶方式，与CaCu3Ti4O12(CCTO)进行复合等方法和手段改善薄膜质量，提高薄膜电性能。本文利用升温(衬底温度为500℃)双靶(BZT靶和BCT靶)磁控溅射法成功共溅射了厚度在220~300nm范围的BZT-BCT薄膜。溅射薄膜时通入氧气，随着通氧量的增加，沉积态薄膜的晶粒尺寸减小，粗糙度降低，薄膜的厚度逐渐减小。X射线衍射(XRD)分析表明，薄膜结晶程度随着溅射时通氧量的增加而降低。分别采用传统退火(CTA)和快速退火(RTA)处理BZT-BCT薄膜，XRD分析表明退火态BZT-BCT薄膜结晶完全。随着溅射时通氧量的增加，退火态薄膜中的氧空位减少，薄膜的质量提高，从而提高了薄膜的铁电和介电性能。当通氧量为30时，RTA退火态BZT-BCT薄膜的电畴平均尺寸为256nm，压电系数d33为213.2pm/V，剩余极化为6.9μC/cm2，1kHz时介电常数为954；CTA退火态BZT-BCT薄膜电畴平均尺寸为177nm，压电系数d33高达273.7pm/V，剩余极化为7.3μC/cm2，1kHz时的介电常数为128。向BZT-BCT薄膜中分别引入LaNiO3(LNO)和SrTiO3(STO)种子层。当种子层与薄膜共同晶化时，薄膜的相结构与无种子层薄膜的相结构一致，都没有明显的择优取向。当种子层先结晶时，BZT-BCT/LNO薄膜出现(100)织构，BZT-BCT/STO薄膜出现(111)织构，有织构薄膜的晶粒尺寸更小，粗糙度更低。加入LNO种子层，薄膜的压电性能和铁电性能基本不变，加入STO种子层大大提高了薄膜的铁电性能，BZT-BCT的剩余极化强度由6.9μC/cm2提高到31.6μC/cm2。本文对CCTO/BZT-BCT复合薄膜的结构和性能进行了研究。向CCTO/BZT-BCT复合薄膜中分别引入LNO种子层和STO种子层，XRD衍射分析表明，LNO种子层抑制了CCTO/BZT-BCT/LNO薄膜中CCTO的结晶，而STO种子层促进了CCTO/BZT-BCT/STO薄膜中CCTO的结晶。压电力原子显微镜(PFM)分析结果显示，非晶态CCTO中存在明显的铁电畴，在CCTO/BZT-BCT/LNO复合薄膜中，电畴大小为190nm，在CCTO/BZT-BCT/STO薄膜中，电畴大小为256nm。复合薄膜在不同退火温度下结晶处理，发现CCTO不结晶情况下，复合薄膜的剩余极化最大。