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社会化媒体中用户行为建模及推荐方法研究
【机 构】
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武汉大学
【出 处】
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武汉大学
【发表日期】
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2020年期
【基金项目】
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其他文献
随着科技的不断发展，电源开关、智能手机、电动汽车、再生能源发电等新型科技产品对功率半导体器件提出了新的要求，随着全球能源问题的严重化，人们希望用各种方式来节约能源，这就对功率器件性能的要求越来越高，以致于传统的Si基功率器件已经无法满足人们的需求，以高性能著称的第三代半导体GaN和SiC进入人们的视野。相比于Si和SiC，GaN具有宽禁带(3.43eV)、高电子迁移率(1245cm2/V·s)、高
学位
目前，薄膜晶体管(TFT)已发展成一个巨大的产业，应用于显示器等领域，业界主流的TFT技术有低温多晶硅(LTPS)、非晶硅(a-Si)和氧化物TFT。随着新兴电子技术的出现，以可穿戴电子和柔性显示为代表，薄膜集成电路变得越来越重要，并且对薄膜材料性能提出了新的要求，比如成本低，可柔性，稳定性高等。a-Si的场效应迁移率低，而且在可见光或偏压下阈值电压会发生漂移。LTPS受限于多晶特性均一性相对较低
学位
近年来，以非晶铟镓锌氧(α-InGaZnO∶IGZO)为代表的氧化物半导体得到了不断发展与广泛应用。例如，基于IGZO沟道的薄膜晶体管(TFTs)已经开始部分替代传统非晶硅晶体管应用在平板显示器中。IGZO是一种性能优异的n型氧化物半导体，电子迁移率高，带隙较宽且在可见光范围透明，可以低温大面积均匀成膜，因此非常适用于透明柔性电子产品的制备。而随着可穿戴设备的迅速发展，寻找适用于这些电子产品的存储
学位
Si1-x—yGe1-xCy三元合金以其独特的性质引起人们的普遍重视。研究表明，替位式C的掺入可以补偿Si上Si1-xGex合金中的应变，而且还可以提高Si1-xGex合金的禁带宽度以及抑制异质结中的硼等杂质的扩散。本文采用化学气相淀积(CVD)方法在p—Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-x—yGexCy合金薄膜。首先通入SiH4淀积约110nm厚的Si缓冲层，然后仅通入GeH4和C
学位
物联网(Internet of Things, IoT)是继计算机、互联网与移动通信网之后的第三次信息产业浪潮，被世界主要国家视为抢占新一轮经济发展制高点的重大战略产业，也是我国新一代信息技术产业中最为重要的一支。物联网将深入车联网、智能电网、智能家居、安防监控、移动支付、智能穿戴、远程医疗、智能制造等应用领域，给人们的生活带来深刻改变。截至2018年底全球物联网设备已达220亿台，据预测到203
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