目前阶段，钙钛矿结构的钛酸锶钡(Ba_1-xSr_xTiO₃，BST)电子陶瓷，因其优良的电学性能、在电子元器件中广泛的应用领域，而成为国内外电子材料领域专家的重点研究对象。如何获得化学组分均匀性好、纯度高、微观结构规整的钛酸锶钡粉体，如何通过掺杂改性制得介电常数高，介电损耗tan低，介温性能良好的钛酸锶钡基电子陶瓷材料，已经成为电子陶瓷领域的一个研究热点。采用溶胶-凝胶法制备了钙钛矿结构钛酸锶钡(Ba_0.7Sr_0.3TiO₃)纳米粉体，并将粉体压片成型、烧结成陶瓷，研究了纯相BST陶瓷的介电性能，并对BST进行A位、B位掺杂，探讨元素掺入后对BST材料结构、形貌以及介电性能的改变。探索采用溶胶-凝胶技术制备Ba_0.7Sr_0.3TiO₃粉体，运用差热（DSC-TGA）分析、红外光谱（IR）、X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）等手段对材料的热处理过程、晶化过程以及微观形貌进行了观察分析。结果表明，在pH=6.0，柠檬酸与金属离子摩尔比CA：M大于1.5，添加适量水时获得了稳定透明的溶胶，经脱水得到干凝胶经950℃煅烧2h制得高纯度、形貌规则、粒径110nm且有团聚趋势的Ba_0.7Sr_0.3TiO₃纳米粉体。将粉体与5%的聚乙烯醇（PVA）混合，经过6MPa压片成型，1330℃下烧结2小时，双面镀银后所得BST陶瓷电极，在1KHZ下测得介电性能较好。采用单因素变量法研究了Bi、Ce、Ni、Mg元素的掺杂量对BST陶瓷结构、形貌以及介电性能的影响。研究发现：初始阶段Bi³⁺进入BST的A位位置使得介电常数增加，随着含量的增加，Bi³⁺进入B位，产生氧空位，使得介电常数逐渐降低，并且Bi³⁺可以降低介电常数峰值，并产生弥散效应，陶瓷的介电损耗tan得到很好的改善；Ce³⁺对BST是A位掺杂，进入A位后降低了介电常数并在含量为0.015时使介电损耗tan降至最低，且介电损耗tan随温度变化率较小，可以用于制备梯度掺杂及介电常数可调性的功能陶瓷；B位掺入Mg²⁺后，BST陶瓷的介电常数以及介电损耗tan持续下降，其介电常数峰值逐渐移向低温区域，介电损耗tan温度变化率较大，制备过程中应该需要对加入量严格控制；Ni²⁺掺入BST中后，只有一部分进入B位替代Ti⁴⁺，导致样品的晶格参数略微增加，随后以NiO的形式在晶界周围聚集，形成NiO/BST复合材料，导致样品的介电常数、介电损耗tan随Ni²⁺掺杂量的增加而下降，介电温谱显示含Ni²⁺试样具有弥散相变特性，且随掺杂量的增加，效果越明显，这也使试样介电温谱得到了很大改善，掺杂量不宜过多。通过不同元素的掺杂，可以改变BST陶瓷的介电常数、介电损耗，使得介电性能随温度变化稳定。Bi³⁺的含量为0.015或Ni²⁺的含量为0.02时可制得到介电常数较高、介电损耗tan低且介温性能较好的材料，一定量的Ce³⁺或Mg²⁺可改变材料介电常数峰的位置，使其由常温区域移向低温区域。