【摘 要】
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该论文研究内容包括:KMoO的钠掺杂效应、MoO薄膜和KxMoO薄膜的制备及其结构物性研究.首先,利用熔融电解还原法,以ACO(A=K,Na)和MoO为原料,成功地合成了钾篮青铜和钠掺杂钾蓝
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该论文研究内容包括:K<,0.3>MoO<,3>的钠掺杂效应、MoO<,3>薄膜和KxMoO<,3>薄膜的制备及其结构物性研究.首先,利用熔融电解还原法,以A<,2>CO<,3>(A=K,Na)和MoO<,3>为原料,成功地合成了钾篮青铜和钠掺杂钾蓝青铜合金.X射线衍射和室温红外谱研究表明,K<,0.3>-xNaxMoO<,3>(x=0,0.02,0.05,0.1)蓝青铜为面心单斜结构,Na离子掺杂只是部分替代K离子,没有渗透到MoO<,6>八面体内部或破坏MoO<,6>八面体结构.通过对K<,0.3>-xNaxMoO<,3>合金的低温电阻-温度关系测量发现:所有合金样品在180K附近发生从金属到半导体的Peierls相变,Na离子掺杂几乎不改变纯钾蓝青铜的相变温度.总之,Na离子掺杂对纯钾蓝青铜产主微弱的结构和相变效应.其次,成功制备了MoO<,3>溶胶-凝胶和薄膜.对于凝胶的DTA-TG和IR分析表明MoO<,3>的结晶温度在500℃附近.XRD和FTIR谱表明所薄膜为α-MoO<,3>.SEM照片显示所得薄膜晶粒致密而无择优取向,随退火温度的降低,薄膜的晶化程度降低,从而导致不同的晶度和晶形.最后，制备了K<,x>MoO<,3>溶胶-凝胶和薄膜.干凝胶的DTA-TG、IR以及XRD分析表明，K<,0.3>MoO<,3>和K<,2>MoO<,4>的结晶温度分别在450℃、500℃和540℃附近.薄膜的XRD研究发现，由于K<,2>O的挥发，薄膜的成分与K<,x>MoO<,3>不完全一致，伴随产生的有MoO<,3>成分.SEM研究表明Al<,2>O<,3>（012）衬底上K<,0.3>MoO<,3>薄膜具有较好的一致取向性.
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