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CdSe/ZnS量子点是一种将激子受限于三维空间的半导体纳米粒子,具有吸收光谱宽、发射光谱窄以及量子产率高等优点,在新型光电器件、荧光成像和量子信息等方面具有广阔的应用前景。CdSe/ZnS单量子点具有较强的荧光闪烁特性且荧光辐射不具有偏振特性,这些性质为量子点在某些方面的应用带来了困扰,例如基于量子点的单光子源在用于量子保密通信时,量子点的荧光闪烁会减小传输的码率;当量子点用于生物体生命活动过程的跟踪测量时,荧光闪烁会导致难以获取研究对象的实时动力学演化过程;另外,单光子缺乏确定的偏振特性限制了量子点在液晶显示、量子信息处理等方面的应用。量子点作为单量子体系其荧光辐射特性对其所处的纳米环境极为敏感,本文研究了 CdSe/ZnS单量子点与半导体纳米材料之间的电子转移特性。利用半导体纳米粒子氧化铟锡(ITO)与单量子点的界面电子转移填充量子点壳层的空穴,有效地抑制量子点的荧光闪烁,同时利用ITO改变单量子点的边带激子能态精细结构和介电环境使单量子点的荧光辐射呈现理想的线偏振特性。本论文的主要研究内容包括:1.介绍了量子点的光物理特性、主要应用及研究现状、单量子点共聚焦光学探测和宽场成像方法及实验装置、CdSe/ZnS量子点样品的具体制备方法以及实验数据的采集分析方法。2.利用半导体纳米材料ITO抑制单CdSe/ZnS景子点的荧光闪烁并研究了ITO中的单量子点的光子统计特性。采川激光扫描共焦显微成像系统测量了单量子点的荧光闪烁特性,与SiO2玻片上的单量子点的荧光闪烁情况相比,半导体纳米材料ITO对单量子点CdSe/ZnS的荧光闪烁具有强烈的抑制作用;相比于SiO2玻片上的单量子点,ITO中的单量子点亮态持续时间明显提高;ITO中的单量子点的荧光寿命减小并且分布范围变窄;这是由于ITO上的电子转移到了量子点上,填补了量子点表面壳层上的空穴。通过二阶关联函数研究了 ITO中的单量子点的光子统计特性。3.利用散焦宽场成像技术测量了 CdSe/ZnS单量子点在半导体纳米材料ITO中的偶极取向分布的性质,单量子点的散焦成像显示量子点由固有的二维偶极辐射模式转变为单偶极辐射模式;利用旋转的线偏振光激发ITO中的单量子点,发现量子点的平均偏振度可达0.55,表明了 ITO纳米粒子可以有效地改善量子点的偏振特性,使其具有线偶极辐射特性。