二氧化锡(SnO2)是一种n型宽禁带半导体材料。它具有良好的物理、化学性质,是一种具有广阔应用前景的半导体发光材料。本文通过水热法,成功的在锡衬底和ITO玻璃衬底上分别制得了SnO2纳米晶薄膜和纳米SnO2阵列,并对它们的光致发光特性与SnO2的微观结构、替位掺杂的杂质浓度间的关系进行了研究。本文首先基于正交设计理论,分别优化了在水热环境中,以锡片衬底中的锡原子为锡源,正丁胺为沉淀剂,在锡片衬底上制备SnO2纳米晶薄膜；以SnCl4·5H2O为锡源,NaOH为沉淀剂,在ITO玻璃衬底上制备纳米SnO2阵列的工艺参数。对实验结果的分析表明,反应时间t是在锡衬底上制备SnO2纳米晶薄膜的最关键因素,其次是反应温度T和正丁胺的用量；而在ITO玻璃衬底上制备纳米SnO2阵列的关键因素依次为：反应时间t(h)、反应温度T(℃)、锡离子摩尔浓度([Sn4+])、氢氧根离子与锡离子摩尔浓度比([OH-]/[Sn4+])。探讨了两种形貌的SnO2的形成机理,环境驱动力大小在反应中起主要作用。对样品进行光致发光谱表征,结果表明,在锡衬底上生长的SnO2纳米晶的PL谱主要集中在紫外发光带和蓝光发光带,主要由氧缺陷和锡填隙引起；在ITO衬底上生长的纳米SnO2阵列的PL谱集中在紫外发光区,发光中心主要由氧缺陷形成。其次,基于ITO衬底上制备SnO2纳米阵列的最优工艺,以SbCl3为掺杂剂,制备了Sb掺杂的SnO2纳米阵列(ATO),并研究了Sb掺杂对SnO2形貌及发光光的影响。结果表明,Sb掺杂浓度越高,产物的阵列形貌越不明显,Sb掺杂虽然在一定程度上影响了SnO2的光致发光性质,但是并没有改善其发光区域,没有产生可见光的发光带。