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本文基于压阻效应和电磁感应构建电磁激励谐振传感器,该传感器包括激振结构和拾振结构,通过对电磁激励谐振传感器进行理论分析,该结构中激励线圈产生的磁场与外加磁场间存在相互作用磁力,拾振结构输出电压信号发生改变,理论分析表明该结构可完成电磁激励谐振传感器功能。在此基础上,利用Ansys软件分别对激振结构和拾振结构进行仿真模型构建和仿真分析,优化电磁激励谐振传感器的设计,通过采用Matlab软件对硅膜应力分布进行计算分析,优化拾振结构中硅膜上纳米硅薄膜晶体管设计位置。根据理论和仿真分析,电磁激励谐振传感器芯片尺寸为5000μm×5000μm,硅膜厚度为45μm,硅膜尺寸为3000μm×3000μm,激振结构中电感线圈35匝铝线圈,线圈宽度为7μm,间距为11μm,厚度为1μm;拾振结构中纳米硅薄膜晶体管沟道长度和宽度分别为320μm和80μm。本文通过采用MEMS技术和CMOS工艺在n型<100>晶向高阻单晶硅片制作电磁激励谐振传感器,在硅片的上表面方形硅膜的中部采用掩埋浓硼内引线方法制作激振结构,即能产生交变磁场的金属电感线圈;采用CMOS技术在方形硅膜上制作四个纳米硅薄膜晶体管沟道电阻作为压敏电阻,构成惠斯通电桥作为拾振结构。实验结果给出,电磁激励谐振传感器的激振结构能够感应外界磁场变化并产生感生电压,当对激振结构施加交变激励电压时,激振结构能够产生交变磁场,当激振结构通以恒定电压,在交变磁场作用下,可使硅膜产生振动,振动频率与交变磁场频率一致,方形和圆形电感线圈在工作频率为200k Hz时电感值分别为27.43n H和31.07n H。电磁激励谐振传感器的拾振结构在硅膜振动时,能够对硅膜振动做出响应,拾振结构在工作电压为5.0V时,响应灵敏度为0.146m V/k Pa。实验结果表明,本文设计的电磁激励谐振传感器能够实现电磁激励使硅膜产生振动,通过拾振结构可以完成对硅膜振动的检测。