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采用PCVD工艺研制此类光纤有非常重要的理论意义和实用价值.主要成果和结论如下:1.数值模拟设计并采用PCVD工艺制造了非零色散位移光纤,首次研究了此光纤的宏弯特性:如果将MAC控制在7.2以下,光纤在C和L波段因宏弯导致的损耗为零.为改善光纤PMD特性提出了对光纤预制棒实施退火处理以消除光纤内应力;PMD最小值达0.024ps/√km,PMD平均值为0.046ps/km.对该类光纤进行了16×10Gb/s波分复用传输试验,传输400km色散代价满足ITU规定的小于1dB要求.表明研制的非零色散位移光纤适合10Gb/SWDM系统传输.光纤PMD对系统转输没有明显影响.2.数值模型并采用PCVD工艺制造了色散补偿光纤,1500nm波长的色散为-127ps/nm/km,衰减系数为0.49dB/km.1530~1565nm波段色散值为-110~-136.5ps/nm/km,色散斜率为-0.86ps/nm<2>/km.品质因数为259,达到了国际上最好用商水平.其PMD在0.86ps/√km以下.温度循环试验表明光纤适于封装.发明了一种在线监测色散散补偿光纤和标准单模光纤熔接过程的方法.提出了熔接过程后期放电退火处理新工艺,使熔接损耗达到了0.12dB世界领先水平.3.优化设计PCVD工艺并制造出千兆以太网多模光纤,光纤在850nm波长的损耗为2.753dB,模式带宽为336MHx-km;在1300nM的损耗为0.584dB,模式带宽为2726MHz-km.DMD测试表明光纤可传输千兆以太网信号.实际千兆以太网传输试验表明此光纤比IEEE802.3z规定的传输距离要远得多.4.研制的高掺锗光敏光纤无需载氢既可进行布喇格光栅刻写.研制的包层模抑制光纤实验结果表明高掺锗纤芯及锗氟共掺包层能有效地抑制布喇格光栅中的包层模.研制的高掺锗少模光纤光栅其反射带宽达到了2nm,退火后其反射峰特征十分移定.