GaAs宽带混频器单片集成电路的研究

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混频器是微波电路与系统中的关键部件。随着通信与电子系统宽频带、小型化和集成化的快速发展,性能良好的微波集成宽带混频器成为当前的研究热点之一。本文基于GaAs工艺,通过理论分析、参数化建模、联合仿真优化,迭代改进电路结构,设计并实现了能够覆盖2-18 GHz的宽带无源双平衡混频器单片集成电路。论文的主要工作如下:1)基于Win的GaAs PD25工艺,采用全波电磁仿真,针对以螺旋线变压器为代表的无源器件建立了尺寸可变的参数化等效电路模型,以提高设计效率。2)利用奇偶模分析法对理想巴伦需要满足的幅度平衡和相位平衡条件进行了详细的分析,得出了相关的限制条件,用于巴伦的创新设计。3)设计了一款宽带Marchand巴伦芯片并总结了其设计流程。根据奇偶模分析得到的限制条件,通过在巴伦的中央加一段开路支节提高其性能。所设计的宽带巴伦在4--24 GHz内幅度平衡可以保持在1.5dB以内,在2-22 GHz内相位平衡可以保持在10度以内。仿真与测试结果基本一致,验证了相关结论。4)总结了无源混频器的设计流程,设计了三款宽带无源双平衡混频器芯片。在传统宽带无源双平衡混频器结构的基础上,用双混频环结构拓展了混频器的带宽,用新型中频提取结构改善了变频损耗的带内波动和射频到中频端的隔离度。混频器带宽为2-18 GHz,变频损耗小于10dB且带内波动小,本振到中频的隔离度在15dB以上,射频到中频端的隔离度在15dB以上,本振到射频端的隔离度在25dB以上。测试结果与目前国际上先进混频器厂商同类产品的水平基本一致。
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