作为电力电子行业的核心处理单元,功率器件在国民经济和生活中扮演着至关重要的角色。在当今多种功率器件当中,由于IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)所具有的性能优势,其应用几乎涵盖了从几十瓦到几兆瓦的功率范围,成为当今电力电子技术应用的核心器件。IPM (Intelligent Power Module)作为IGBT进一步发展的产物,将驱动保护电路与IGBT芯片等进行了集成,减小了体积、重量以及寄生参数的影响,提高了集成度和可靠性,是未来电力电子功率器件的重要发展方向。本文在详细分析IGBT工作过程的基础上,针对IPM中IGBT驱动保护电路的特点,设计了大功率IPM驱动保护集成电路,主要包括驱动模块,保护模块以及辅助功能模块。驱动模块内针对IGBT的开关过程的特点,设计了三种驱动方式,可通过端口灵活配置;保护模块内包含了 VCE退饱和检测,基于寄生电感LeE的di/dt检测,以及针对IPM模块特点的分流器检测方式,在检测到故障发生后对IGBT实施软关断。为了保证驱动保护电路的正常运行,本文还设计了辅助功能模块,辅助功能模块内包含了LDO,振荡器等电路。驱动保护集成电路既可适用于大功率IPM模块也可适用于一般IGBT模块。该驱动保护电路基于CSMC 0.25μm BCD工艺设计,经过Candence spectre软件仿真验证,显示该驱动保护电路具有良好的驱动功能及可靠的保护效果。