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β-Zn4Sb3是一种极具应用前景的p型中温热电材料。如何优化β-Zn4Sb3化合物的热电性能是目前亟待解决的研究课题。本文采用传统工艺制备了名义组成为Zn4Sb3-xInx(0-0.08,Ax=0.02)的In掺杂p-Zn4Sb3基块体材料,发现所有In掺杂Zn4Sb3-xInx块体材料的ZT值均显著增大,Zn4Sb2.94In0.06块体材料的ZT值700K时达到1.13。为了弄清In杂质对β-Zn4Sb3热电材料的电热输运的影响及其规律,设计了名义组成为Zn4Sb3-xInx(0≤x≤0.12,Δx=0.03)、Zn4-xInxSb3(0≤x≤0.24,Ax=0.03)和Zn4Sb3Inx(0≤x≤0.08,Δx=0.02)的Sb位、Zn位和填隙位In掺杂β-Zn4Sb3化合物,采用优化的真空熔融时间和本实验室确定的放电等离子体烧结优化工艺条件,制备了单相无裂纹的Sb位、Zn位和填隙位In掺杂p-Zn4Sb3基块体材料,并重点研究了这三种材料的热电输运性能。Sb位In掺杂Zn4Sb3-xInx热电材料的低温电导率显著增大,高温下本征激发几乎消失,晶格热导率显著降低。与纯p-Zn4Sb3块体材料相比,所有Zn4Sb3-xlnx热电材料的ZT值均显著增大,其中Zn4Sb2.92In0.08和Zn4Sb2.91In0.09块体材料700K时的ZT值分别达到1.37和1.29,与纯β-Zn4Sb3块体材料700K时的ZT值(0.88)相比,分别提高了56%和47%。Zn位In掺杂Zn4-xInxSb3热电材料的Seebeck系数增大,晶格热导率减小与纯β-Zn4Sb3块体材料相比,所有Zn4-xInxSb3热电材料的ZT值均显著增大,其中Zn3.85In0.15Sb3和Zn3.82In0.1 8Sb3块体材料700K时的ZT值分别达到1.28和1.41,与纯β-Zn4Sb3块体材料700K时的ZT值(0.84)相比,分别提高了52%和68%。空隙位In掺杂Zn4Sb3Inx热电材料的电导率变化不明显,但Seebeck系数增大,晶格热导率降低。与纯β-Zn4Sb3块体材料相比,所有In掺杂β-Zn4Sb3基块体材料的ZT值均显著增大,其中Zn4Sb3In0.06块体材料700K时的ZT值达到1.02,与纯β-Zn4Sb3块体材料700K时的ZT值(0.84)相比,提高了21%。